公开(公告)号：CN114094440B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202111237411.9

申请日：2021-10-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  沈威

IPC: H01S5/11 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法，包括：p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构，本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构，解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题，该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。

公开(公告)号：CN114094440A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111237411.9

申请日：2021-10-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  沈威

IPC: H01S5/11 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法，包括：p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构，本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构，解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题，该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。