公开(公告)号：CN109270626A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811433756.X

申请日：2018-11-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  朱莉辉 ,  王慧慧

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被完全刻穿形成间隔的、周期性的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上溅射一定厚度的金属层作为电极。本发明采用的全刻蚀光栅没有刻蚀深度的问题，并且通过光栅刻槽间加入介质材料，减少光栅和刻槽之间的折射率差，从而获得较窄的反射波段，达到浅刻蚀所能达到的效果，对于完全刻蚀的矩形波导可以和光栅同步制作。

公开(公告)号：CN109270626B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201811433756.X

申请日：2018-11-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  朱莉辉 ,  王慧慧

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被完全刻穿形成间隔的、周期性的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上溅射一定厚度的金属层作为电极。本发明采用的全刻蚀光栅没有刻蚀深度的问题，并且通过光栅刻槽间加入介质材料，减少光栅和刻槽之间的折射率差，从而获得较窄的反射波段，达到浅刻蚀所能达到的效果，对于完全刻蚀的矩形波导可以和光栅同步制作。