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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118280413A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211743369.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种存储器及电子设备。其中，存储器包括：第一存储单元、第一电流提供电路和第一信号产生电路，其中：第一信号产生电路的输出端与第一存储单元的第一端连接，第一存储单元的第二端接地，第一信号产生电路用于向第一存储单元施加第一操作电压；第一电流提供电路的第一端与第一存储单元的第一端连接，第一电流提供电路的第二端接地，第一电流提供电路用于在第一信号产生电路向第一存储单元施加第一操作电压时，使第一操作电流流经第一电流提供电路。本申请能够降低存储器的电阻漂移系数，从而提高存储器的存储精度和存储可靠性。
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公开(公告)号：CN116798463A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210253442.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种存储器、数据销毁方法和电子设备。所述存储器中有多个存储单元，每个存储单元是由两个电极和开关层构成。开关层是由Te、Se等单质、硫系化合物等材料中的至少一种组成。两个电极叠加在开关层上，让两个电极分别与开关层之间呈现出肖特基势垒特性。当两个电极通入电压，且电压超过势垒高度的电压时，两个电极之间的通路导通。当两个电极停止通入电压时，由于开关层的材料具有弛豫效应，使得两个电极之间的电压逐渐降低，在两个电极之间的电压降低到低于势垒高度的电压时，两个电极之间的通路断开。如果存储单元储存数据后，随着时间的推移，过了弛豫时间后，存储单元中存储的数据消除，实现存储单元中存储的数据自动销毁的效果。
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公开(公告)号：CN120051200A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311593617.4
申请日：2023-11-24
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了，一种阈值开关材料、阈值开关器件及其制备方法。该阈值开关材料的化学通式为(InxTe100‑x)100‑z(As100‑ySey)z，其中，x为元素In在元素In和元素Te中的原子百分比，y为元素Se在元素As和元素Se中的原子百分比，z为元素As和元素Se在阈值开关材料中的原子百分比，且30≤x≤50，50≤y≤70，50≤z≤90。本申请提供的阈值开关材料能够降低阈值电压漂移，从而提高阈值开关器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN118782120A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310396391.2
申请日：2023-04-04
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种存储器编程方法和装置，该方法包括：对每个待编程的寻址单元进行预编程得到一个编程值，编程值为电导值或电阻值；若根据读操作，确定一个待编程的寻址单元当前的编程值不在对应的目标区间的范围内，则利用逐级迭代的第一电脉冲进行补偿编程，更新当前的编程值，其中，目标区间根据各待编程的寻址单元待编程到的电阻值、电导值或目标态中的一种确定，当前的编程值包括通过预编程得到的编程值，或，通过逐级迭代更新的编程值；若根据读操作，确定一个待编程的寻址单元当前的编程值在对应的目标区间的范围内，或，确定逐级迭代的次数达到预设上限，则完成编程。能够提高存储器编程的速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN116940221A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210318382.7
申请日：2022-03-29
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种相变存储材料、相变存储单元和相变存储器。该相变存储材料包括Nbδ(GexSbyTez)1‑δ，其中，Nb的原子含量δ为0＜δ＜1，Nbδ(GexSbyTez)1‑δ中，0＜x≤10，0＜y≤10，0＜z≤10。该相变存储材料可实现相变存储器的多态存储，满足高精度神经形态计算的要求。
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