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公开(公告)号：CN118561014B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410769298.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: B65G47/91
Abstract: 本申请属于芯片拾取领域，具体公开了一种基于旋流拾取的高精度芯片非接触拾取装置，其包括机架主体、测试平台、旋流拾取头、水平位移调节机构、调平机构、传感测量机构；测试平台通过水平位移调节机构水平安装于机架主体上并且能够在水平方向上移动；调平机构包括第一手动Z轴和三轴调整架，三轴调整架通过第一手动Z轴安装于机架主体上并且能够在竖直方向上移动，旋流拾取头安装于三轴调整架上以实现调平，且旋流拾取头位于测试平台的上方。本申请通过多模块集成设置，能够全面实现基于旋流拾取方法的拾取头设计、调试与性能测试，便于操作、功能全面，能够有效提高旋流拾取方法的迭代速度，降低实验测试成本，加快旋流拾取方法的工业化进程。
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公开(公告)号：CN118625673A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410880103.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种五轴数控机床伺服轴参数联合优化方法及系统，该方法包括：建立各伺服轴的简化负载模型，选取参考轴和联动轴；运行第一圆度测试，采集电机速度和电流数据，完成参考伺服轴和联动伺服轴简化模型参数的计算和辨识；运行第二圆度测试，完成各伺服轴线性伺服增益的优化匹配；运行第三圆度测试，计算圆度不匹配度，完成联动伺服轴位置环增益的迭代优化匹配；最后开启扰动预测观测器，通过对非线性摩擦的自动补偿来抑制象限误差，运行第四圆度测试，并根据象限误差值完成扰动预测观测器增益的迭代优化。本发明提升了五轴联动机床的调试效率，并能够改善象限突跳补偿效果，进而优化提升工件加工质量。
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公开(公告)号：CN115286235B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210844161.3
申请日：2022-07-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于无机玻璃的相关技术领域，并公开了一种致密无机玻璃掺杂量子点复合材料的制备方法及产品。该制备方法包括：选取氨基功能化的硅氧烷前驱体、巯基功能化的硅氧烷前驱体以及量子点作为原料，将三者混合搅拌至溶胶态，干燥，以此获得所需的均匀且无开裂的二氧化硅无机玻璃。本发明在无催化剂的条件下进行反应，避免催化剂对量子点性能的影响，选用氨基功能化和巯基功能化的硅氧烷前驱体作为原料，由于氨基的带碱性、巯基带酸性，二者相互反应实现反应体系中PH的调节，替代催化剂的作用，同时二者比例的调节还能控制反应速率，实现无碎裂的玻璃的制备。通过本发明，量子点玻璃制备中发光性能衰减和易自碎裂的问题。
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公开(公告)号：CN117003127A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310899866.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种动梁式龙门双轴不同步因素闭环辨识补偿方法及系统，属于系统辨识与误差补偿领域，包括：用位移指令对动梁式龙门的双轴进行闭环控制，使龙门在每个运动周期都运行在所允许限幅值内；在每个运动周期内执行以下步骤：S1、判断是否满足辨识终止条件，若是，转入S4；否则，转入S2；S2、用当前运动周期内的同步误差信号计算当前运动周期的自适应参考性能指标；S3、根据自适应律对双轴不同步因素kj、ka分别进行辨识，并根据当前运动周期的辨识结果调整下一个运动周期的同步补偿值，以更新下一个运动周期的同步误差信号；S4、用当前的同步补偿值补偿双轴闭环控制中对应的电流指令。本发明能够提升辨识效率和稳定性，以及同步控制性能。
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公开(公告)号：CN116130406B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310255469.9
申请日：2023-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/67 , B23K26/50
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，公开了一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，步骤包括：对晶圆浅沟道通过激光扫描测定其几何特征；基于几何特征，在晶圆浅沟道的各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形；在各沟道交叉处之间的未填充区填充绝缘隔离聚合物，直至使晶圆浅沟道内先后填充的绝缘隔离聚合物的高度保持平齐，然后利用点阵热源对先后填充的绝缘隔离聚合物全部加热固化；重复前述步骤，直至将晶圆浅沟道完全填充平整。本发明能将快速高效地将绝缘隔离填充物质按照规划路径高速直写填充到晶圆浅沟道中，并且在填充过程中能精细控制填充量，节约填充成本。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112993142B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110172203.9
申请日：2021-02-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于白光LED封装领域，并具体公开了一种三维高导热白光LED及其制备方法，该三维高导热白光LED包括基板、反光腔体、LED芯片和三维高导热荧光胶体，其中，反光腔体安装在基板上，LED芯片位于反光腔体内部且固定在基板表面，LED芯片连接有引线部件；三维高导热荧光胶体填充在反光腔体内并覆盖所述LED芯片，该三维高导热荧光胶体由三维高导热骨架以及填充在该三维高导热骨架空隙内的量子点胶体组成。本发明能使光能量从三维高导热骨架顺利出射，保证了白光LED的发光效率，同时降低了荧光胶体的工作温度，提升其长期可靠性，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN113363369A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110602123.2
申请日：2021-05-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED量子点散热翅片、LED及其制备方法，属于白光LED封装领域。本发明通过将量子点、硅胶以及高导热系数材料颗粒充分混合后按照翅片预设结构参数固化成型，所述翅片的结构具有空隙，以为LED芯片和金线留出空间以及用于在封装时填充荧光粉和硅胶，获得具有优良散热性能且几乎不影响光学性能的翅片，将该翅片应用于量子点白光LED的封装当中，可有效降低其工作温度，减少高温对量子点和LED发光性能的影响，提高其寿命和工作稳定性。
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公开(公告)号：CN107123727B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710339524.7
申请日：2017-05-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于量子点LED封装领域，具体涉及一种低工作温度的量子点白光LED，其中，LED芯片固定设置在基板表面，量子点硅纳米球附着在LED芯片表面，透光壳体内表面附着有一层荧光粉胶，该透光壳体直接安装在基板上或通过一模塑料固定在基板上方，并将LED芯片和量子点硅纳米球密封在内，透光壳体内还填充有封装胶将量子点硅纳米球和荧光粉胶隔离。本发明还公开了一种低工作温度的量子点白光LED的制备方法。本发明的量子点LED利用封装胶将荧光粉胶和量子点硅纳米球隔离，可降低量子点工作温度，减少重吸收损失，提高白光LED的发光效率；还能减少量子点的用量，控制量子点与荧光粉各自的发光光谱，得到所需的理想型发光。
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公开(公告)号：CN105470371B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510884145.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于荧光粉涂覆的装置及其涂覆方法，其属于LED封装领域。装置包括基板、支撑块以及荧光粉胶涂覆板，基板呈平板状，支撑块用于将荧光粉胶涂覆板支撑在基板上，支撑块与荧光粉胶涂覆板相接触的端部的总面积为S1，荧光粉胶涂覆板与支撑块相接触的面的总面积为S2，S1：S2≤0.9。荧光粉胶涂覆板与基板平行或者不平行，两者相距的最小高度为0.1mm。荧光粉胶涂覆板呈薄片状，该薄片状的厚度为0.01mm～1mm，荧光粉胶涂覆板的涂胶面印刷有电路。本发明的还公开了利用上述装置进行涂覆的方法。本发明装置可使阵列芯片封装时获得半球状或者球缺状的荧光粉胶形貌。
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