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公开(公告)号：CN104681459B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201310627003.3
申请日：2013-11-28
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种金属刻蚀工艺检测方法，包括：生成待检测的跳线电阻；输入测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的一电性能的第一值；在所述待检测的跳线电阻上形成金属层；根据所述跳线电阻上的布线结构对所述待检测的跳线电阻上的金属层进行刻蚀；输入所述测试电信号，获取刻蚀后的所述待检测的跳线电阻的所述一电性能的第二值；根据所述一电性能的第一值和第二值，判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。采用本发明提供的技术方案，能够检测跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求，避免了在对跳线电阻上的金属层进行刻蚀时，跳线电阻的介质层没有完全阻挡住刻蚀损伤的问题。
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公开(公告)号：CN106449355A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510477017.0
申请日：2015-08-06
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L28/40
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，所述的一种沟槽电容的制备方法，通过两次刻蚀、两次沉积工艺制得，工艺简单，介电层厚度可调、精度要求低，不但能实现工业化生产，而且制备成本低。同时，所述沟槽电容不但介电层厚度小，单位面积电容值高，且其中的各组件能够与同一IC中的薄膜晶体管同层制备，能够有效简化生产工艺，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN104681459A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310627003.3
申请日：2013-11-28
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种金属刻蚀工艺检测方法，包括：生成待检测的跳线电阻；输入测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的一电性能的第一值；在所述待检测的跳线电阻上形成金属层；根据所述跳线电阻上的布线结构对所述待检测的跳线电阻上的金属层进行刻蚀；输入所述测试电信号，获取刻蚀后的所述待检测的跳线电阻的所述一电性能的第二值；根据所述一电性能的第一值和第二值，判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。采用本发明提供的技术方案，能够检测跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求，避免了在对跳线电阻上的金属层进行刻蚀时，跳线电阻的介质层没有完全阻挡住刻蚀损伤的问题。
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公开(公告)号：CN102110649A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910244051.8
申请日：2009-12-28
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 本发明涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法。该方法在传统的铝栅CMOS制作工艺的基础上进行改进，在N型衬底基片下片后先进行一次N型离子注入工艺，以增加衬底表面浓度。基片上注入的N型离子在高温炉管的推阱工艺中自动在衬底上形成N阱，从而减轻衬底浓度变化对PMOS管漏电的影响，达到改善电路静态电流失效的目的。
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公开(公告)号：CN101770955A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810247075.4
申请日：2008-12-31
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种制作P型金属氧化物半导体的方法，包括：对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。通过本发明实施例提供的上述技术方案，在制作PMOS的过程中，通过再次注入N型离子中比磷离子原子量大一倍多的砷离子，从而使得硅片表面的离子浓度与传统工艺制作出的PMOS表面的离子浓度相比大很多，进而大大提高了源漏击穿电压。
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公开(公告)号：CN104779137B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410012546.9
申请日：2014-01-10
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
发明人： 谭志辉
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，该方法包括：在衬底基板上形成介质层；在所述介质层的表面形成金属层；在所述金属层的表面形成抗反射层，所述抗反射层的材料为氮化钛TIN。本发明实施例中在金属层表面形成材料为TIN的抗反射层，该抗反射层质地均匀致密，表面光滑，弹性良好，附着性好，不但能够消除来自金属层表面的反射，而且能够有效地避免由于应力释放在金属层的有些部位形成空洞或是由金属原子的堆积而形成小丘，使金属层中的电迁移过程中引起的断路或短路的问题，从而提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN104779137A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410012546.9
申请日：2014-01-10
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
发明人： 谭志辉
CPC分类号： H01L21/02186 , C23C16/34 , C23C16/44
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，该方法包括：在衬底基板上形成介质层；在所述介质层的表面形成金属层；在所述金属层的表面形成抗反射层，所述抗反射层的材料为氮化钛TIN。本发明实施例中在金属层表面形成材料为TIN的抗反射层，该抗反射层质地均匀致密，表面光滑，弹性良好，附着性好，不但能够消除来自金属层表面的反射，而且能够有效地避免由于应力释放在金属层的有些部位形成空洞或是由金属原子的堆积而形成小丘，使金属层中的电迁移过程中引起的断路或短路的问题，从而提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN101764094B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200810240827.4
申请日：2008-12-24
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，主要包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。根据该技术方案能够准确地调节VTP以及VTN，并且节约了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102110640A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910243498.3
申请日：2009-12-24
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/525
摘要： 本发明公开了一种单铝的金属熔丝处理方法，该方法包括：对晶圆钝化层上涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出金属熔丝区钝化层的第一开口；对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第一开口区域中的钝化层；对钝化层上重新涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出压焊点区域钝化层的第二开口；重新对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第二开口区域中的钝化层。应用本发明实施提供的方法解决现有技术中因金属熔丝上钝化层的开口与压焊点钝化层的开口尺寸不一致，导致金属熔丝刻断或压焊点刻蚀后存在残留等问题。
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公开(公告)号：CN101764094A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810240827.4
申请日：2008-12-24
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，主要包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。根据该技术方案能够准确地调节VTP以及VTN，并且节约了工艺成本。
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