发明授权
- 专利标题: 一种阵列基板及其制备方法
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申请号: CN201410012546.9申请日: 2014-01-10
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公开(公告)号: CN104779137B公开(公告)日: 2018-03-27
- 发明人: 谭志辉
- 申请人: 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层
- 专利权人: 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
- 当前专利权人: 深圳方正微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; C23C16/44
摘要:
本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法,该方法包括:在衬底基板上形成介质层;在所述介质层的表面形成金属层;在所述金属层的表面形成抗反射层,所述抗反射层的材料为氮化钛TIN。本发明实施例中在金属层表面形成材料为TIN的抗反射层,该抗反射层质地均匀致密,表面光滑,弹性良好,附着性好,不但能够消除来自金属层表面的反射,而且能够有效地避免由于应力释放在金属层的有些部位形成空洞或是由金属原子的堆积而形成小丘,使金属层中的电迁移过程中引起的断路或短路的问题,从而提高产品的可靠性。
公开/授权文献
- CN104779137A 一种阵列基板及其制备方法 公开/授权日:2015-07-15
IPC分类: