公开(公告)号：CN106298973A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510254663.0

申请日：2015-05-18

申请人： 北京大学 ,  北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司

发明人： 刘美华 ,  康冬亮 ,  陈建国 ,  林信南

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66143 ,  H01L2229/00

摘要： 本发明实施例公开了一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管。本发明实施例中，在硅衬底层上形成GaN层、势垒层和钝化层，至少刻蚀钝化层至势垒层，形成阳极接触孔；形成介质层，并对介质层进行刻蚀，形成薄层的阳极介质；阳极介质至少覆盖阳极接触孔部分底部并与阳极接触孔侧壁接触；在阳极接触孔内填充金属，形成阳极。本发明实施例在阳极边缘形成阳极介质，该阳极介质减小了金属与AlGaN层的接触面积，即减小了肖特基结的面积，从而有效降低了肖特基二极管的反向漏电流；另一方面，该阳极介质也避免了金属与钝化层之间因接触表面缺陷而造成的漏电，进一步降低了肖特基二极管的反向漏电流。

公开(公告)号：CN106328719A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510329110.7

申请日：2015-06-15

申请人： 北京大学 ,  北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司

发明人： 刘美华 ,  陈建国 ,  林信南

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/401 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

摘要： 本发明提供了一种肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管，其中肖特基二极管的加工方法包括：在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，所述复合绝缘层包括层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；去除所述氮化镓层的阴极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阴极区域的第一接触孔；去除所述氮化镓层的阳极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阳极区域的第二接触孔，其中，所述第一绝缘层对应的第二接触孔的孔径大于所述第二绝缘层对应的第二接触孔的孔径；在所述第一接触孔和所述第二接触孔形成金属电极，以完成所述肖特基二极管的制作。通过本发明的技术方案，能够减少反向漏电，优化器件结构。