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发明公开
CN102110649A 一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法 无效 - 驳回

一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法
摘要：
本发明涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法。该方法在传统的铝栅CMOS制作工艺的基础上进行改进，在N型衬底基片下片后先进行一次N型离子注入工艺，以增加衬底表面浓度。基片上注入的N型离子在高温炉管的推阱工艺中自动在衬底上形成N阱，从而减轻衬底浓度变化对PMOS管漏电的影响，达到改善电路静态电流失效的目的。
摘要（英）：

The invention relates to the manufacture technology of aluminum gate CMOSs (complementary metal oxide semiconductor), in particular to a method for correcting failures of quiescent current in an aluminum gate CMOS. The method is improved on the basis of the traditional manufacture technology of the aluminum gate CMOSs and comprises the step of conducting primary implantation technology of N-shaped irons to increase the surface concentration of the substrate after preparation of an N-shaped substrate. N-shaped irons implanted in the substrate form N wells automatically on the substrate during the diffusion process of a high-temperature furnace tube, so that the influence of the substrate concentration change on the electricity leakage of a PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) tube can be reduced and the purpose of correcting failures of quiescent current in a circuit can be achieved.

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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