Invention Grant
- Patent Title: 一种金属刻蚀工艺检测方法
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Application No.: CN201310627003.3Application Date: 2013-11-28
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Publication No.: CN104681459BPublication Date: 2017-06-30
- Inventor: 李如东 , 谭志辉 , 宋秀海
- Applicant: 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室;
- Assignee: 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
- Current Assignee: 深圳方正微电子有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室;
- Agency: 北京银龙知识产权代理有限公司
- Agent 许静; 黄灿
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66

Abstract:
本发明提供了一种金属刻蚀工艺检测方法,包括:生成待检测的跳线电阻;输入测试电信号,获取所述待检测的跳线电阻的一电性能的第一值;在所述待检测的跳线电阻上形成金属层;根据所述跳线电阻上的布线结构对所述待检测的跳线电阻上的金属层进行刻蚀;输入所述测试电信号,获取刻蚀后的所述待检测的跳线电阻的所述一电性能的第二值;根据所述一电性能的第一值和第二值,判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。采用本发明提供的技术方案,能够检测跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求,避免了在对跳线电阻上的金属层进行刻蚀时,跳线电阻的介质层没有完全阻挡住刻蚀损伤的问题。
Public/Granted literature
- CN104681459A 一种金属刻蚀工艺检测方法 Public/Granted day:2015-06-03
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IPC分类: