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公开(公告)号：CN116246846A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211042535.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型变压器隔离层的制备方法，步骤包括：选用N型 双抛圆片为衬底；双抛圆片上蒸发一层铝，在铝层表面进行光刻，形成光刻图形；将光刻后的双抛圆片放入铝腐蚀液中进行腐蚀，去除双抛圆片表面的光刻图形，得到铝层；在双抛圆片表面生产一层等离子氧化膜，进行表面光刻，去掉表面的光刻图形，得到氧化层；在双抛圆片表面蒸发一层金，进行表面光刻，再将双抛圆片放入金电镀液中进行电镀，去除表面光刻胶得到第一金电极。本发明通过增加隔离层聚酰亚胺的厚度，以提高变压器线圈间的击穿电压参数和平整度，提高器件的一致性。
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公开(公告)号：CN109019504B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810651525.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，涉及互联硅通孔的制作方法领域；包括如下步骤：步骤(一)、在高阻硅的上底面和下底面进行氧化；步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜；步骤(四)、在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；步骤(五)、制作互联硅通孔信号输入/输出端；步骤(六)、制作形成地层互联层；步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀；步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片；本发明工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。
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公开(公告)号：CN119689783A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411821375.4
申请日：2024-12-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种涂胶产品及台面涂胶方法，主要强调的是台面光刻胶的全覆盖性，主要步骤：(1)采用粘附性强的负性光刻胶；(2)选用合适旋转速度，利用旋转涂胶方法涂光刻胶；(3)选用高粘附性负性光刻胶和合适的选转速度进行涂胶、曝光、显影，然后再次重复涂胶、曝光、显影，根据台面高度和显影后的结果决定重复次数。通过以上步骤能够实现台面在50‑80微米高的台面全覆盖。
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公开(公告)号：CN109019504A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810651525.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，涉及互联硅通孔的制作方法领域；包括如下步骤：步骤(一)、在高阻硅的上底面和下底面进行氧化；步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜；步骤(四)、在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；步骤(五)、制作互联硅通孔信号输入/输出端；步骤(六)、制作形成地层互联层；步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀；步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片；本发明工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578978B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310487942.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。
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公开(公告)号：CN116959975A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310784539.X
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种硅台面深槽结构的制备方法，包括：将清洗后的硅晶圆的表面依次形成氧化硅膜和氮化硅膜，其中，氧化硅薄膜和氮化硅薄膜组成深槽腐蚀掩蔽膜；对形成深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行光刻工艺定义深槽结构区域；通过刻蚀工艺去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜；将去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行烘烤；将烘烤后的硅晶圆进行硅槽腐蚀；对硅槽腐蚀后的硅晶圆的深槽结构区域外的深槽腐蚀掩蔽膜进行腐蚀得到硅台面深槽结构。本发明使得硅槽结构完整且无尖峰毛刺现象。
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公开(公告)号：CN103578978A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310487942.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。
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公开(公告)号：CN219610377U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320437368.9
申请日：2023-03-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/673
Abstract: 一种淡硼预扩散工艺石英舟，所述石英舟呈半圆柱体，圆柱体的内壁开有槽，槽内放有用于进行淡硼预扩散工艺的硅片和硼源片，且放置的硅片和硼源片均与水平面成5°的仰角。本实用新型石英舟旁边摆放隔热挡片，解决了以往淡硼预扩散工艺过程中固体硼源片易变形、硼预扩散过程中硅片与硼源片间距不一致导致硼预扩散后硅片方阻均匀性和批次间一致性较差的问题。
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公开(公告)号：CN218298428U
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202220729517.4
申请日：2022-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司(CN) , 北京微电子技术研究所(CN)
Abstract: 一种大功率塑封模块二极管测试装置，包括测试底座、支架、测试座、夹持组件，支架、测试座安装于测试底座上，测试座安装于支架范围内，支架上方设置有夹持组件，待测试二极管设置于测试座上，夹持组件包括可滑行金属杆、把手、可调螺母、器件固定胶皮衬垫，所述把手与可滑行金属杆先练练，可调螺母一端设置连接可滑行金属杆端头，可调螺母另一端设置有器件固定胶皮衬垫。
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