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公开(公告)号：CN112429699B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011126032.8
申请日：2020-10-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，(1)选用SOI材料(绝缘衬底上的硅)作为衬底材料；(2)制备出器件层；(3)形成图形化的金属层1#(04)；(4)采用深硅刻蚀(DRIE)工艺对顶层硅(03)进行刻蚀，得到最终的所需器件层图形；(5)得到中间氧化层(02)的结构图形；(6)得到释放后的器件层结构；(7)对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，再次通过电子束蒸发工艺对器件层上表面未被阴影掩膜遮挡的区域进行金属化，形成所需要的金属层2#(05)；(8)再利用解键合工艺去除了阴影掩膜，获得硅微悬臂梁谐振器，可以达到低成本、高合格率的大批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN105293420A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510729482.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种MEMS圆片级真空封装结构及其制作方法。封装结构包括硅盖板和带可动结构的MEMS圆片，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充有导电材料，盖板键合面有凹槽，凹槽底部有一层吸气剂薄膜，硅盖板与带可动结构的MEMS圆片通过圆片键合形成真空封装结构。本发明的制作方法首先在盖板上制作出通孔，孔内填充导电材料。然后在键合面上制作出凹槽，槽底部淀积一层吸气剂薄膜，键合区域淀积一层多层金属薄膜，将盖板与带可动结构的MEMS圆片在真空环境中进行圆片键合。本发明通过在硅盖板上制作带有吸气剂的槽和通孔，实现了密闭凹槽的电极引出，不需引线键合，工序简单，同时提高了封装结构内真空度的维持能力，避免了切割时颗粒对可动结构的沾污，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN116246846A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211042535.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型变压器隔离层的制备方法，步骤包括：选用N型 双抛圆片为衬底；双抛圆片上蒸发一层铝，在铝层表面进行光刻，形成光刻图形；将光刻后的双抛圆片放入铝腐蚀液中进行腐蚀，去除双抛圆片表面的光刻图形，得到铝层；在双抛圆片表面生产一层等离子氧化膜，进行表面光刻，去掉表面的光刻图形，得到氧化层；在双抛圆片表面蒸发一层金，进行表面光刻，再将双抛圆片放入金电镀液中进行电镀，去除表面光刻胶得到第一金电极。本发明通过增加隔离层聚酰亚胺的厚度，以提高变压器线圈间的击穿电压参数和平整度，提高器件的一致性。
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公开(公告)号：CN104458103B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410711006.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低漂移压力传感器及其制造方法，低漂移压力传感器包括衬底、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、金属引线和PAD点，四个压敏电阻通过金属引线构成惠斯通电桥，四个压敏电阻放置在通过制作背腔形成的薄膜区域，且四个压敏电阻均沿同一方向放置。其制作步骤为：在衬底正面利用微加工光刻、注入工艺制作浓硼区、淡硼区，在衬底正面制作引线孔、金属引线和PAD点；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；划片。本发明压力传感器能够有效减小漏电，降低压力传感器的零点漂移，制造方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工工艺简单、成本低，且成品率高可批量生产。
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公开(公告)号：CN103818874B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410048811.9
申请日：2014-02-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法，该方法包括：（1）MEMS圆片上每个基底单元预留多个电路芯片放置区域，将电路芯片放置在MEMS圆片上，形成MEMS结构与处理电路的集成；（2）利用垂直互联技术，采用硅作为盖板，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充导电材料，形成结构的输入和输出端口；（3）盖板键合面有多个槽，用于提供MEMS器件工作所需的真空气密环境和电路所需的空间，盖板槽内部的吸气剂薄膜，用于维持真空度；（4）将盖板与MEMS圆片进行圆片键合，实现圆片级真空集成封装，该方法不仅工艺简单，适用范围广，效果显著，而且能够避免由于热膨胀系数带来的热应力，显著提高器件的温度系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116959975A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310784539.X
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种硅台面深槽结构的制备方法，包括：将清洗后的硅晶圆的表面依次形成氧化硅膜和氮化硅膜，其中，氧化硅薄膜和氮化硅薄膜组成深槽腐蚀掩蔽膜；对形成深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行光刻工艺定义深槽结构区域；通过刻蚀工艺去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜；将去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行烘烤；将烘烤后的硅晶圆进行硅槽腐蚀；对硅槽腐蚀后的硅晶圆的深槽结构区域外的深槽腐蚀掩蔽膜进行腐蚀得到硅台面深槽结构。本发明使得硅槽结构完整且无尖峰毛刺现象。
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公开(公告)号：CN104649217A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410815965.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种多MEMS传感器的单芯片加工方法，首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区，在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔；然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模块、金属焊盘和键合区，在背面加工腔体；最后将集成了第一传感结构模块的第一衬底与集成了第二传感结构模块和第二处理电路模块的第二衬底在真空环境中进行硅-金属-硅键合形成键合片，按照划片道进行划片，形成多个片上微系统单芯片。本发明方法采用了双衬底方式，对传感器种类和电路种类几乎没有限制，集成度高，并且工艺兼容性强，非常适合用于微型传感器系统单芯片集成领域。
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公开(公告)号：CN104458103A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410711006.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低漂移压力传感器及其制造方法，低漂移压力传感器包括衬底、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、金属引线和PAD点，所述四个压敏电阻通过金属引线构成惠斯通电桥，四个压敏电阻放置在通过制作背腔形成的薄膜区域，且四个压敏电阻均沿同一方向放置。其制作步骤为：在衬底正面利用微加工光刻、注入工艺制作浓硼区、淡硼区；在衬底正面制作引线孔、金属引线和PAD点；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；划片。本发明压力传感器能够有效减小漏电，降低压力传感器的零点漂移，制造方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工工艺简单、成本低，且成品率高可批量生产。
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公开(公告)号：CN119689783A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411821375.4
申请日：2024-12-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种涂胶产品及台面涂胶方法，主要强调的是台面光刻胶的全覆盖性，主要步骤：(1)采用粘附性强的负性光刻胶；(2)选用合适旋转速度，利用旋转涂胶方法涂光刻胶；(3)选用高粘附性负性光刻胶和合适的选转速度进行涂胶、曝光、显影，然后再次重复涂胶、曝光、显影，根据台面高度和显影后的结果决定重复次数。通过以上步骤能够实现台面在50‑80微米高的台面全覆盖。
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公开(公告)号：CN112429699A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011126032.8
申请日：2020-10-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，(1)选用SOI材料(绝缘衬底上的硅)作为衬底材料；(2)制备出器件层；(3)形成图形化的金属层1#(04)；(4)采用深硅刻蚀(DRIE)工艺对顶层硅(03)进行刻蚀，得到最终的所需器件层图形；(5)得到中间氧化层(02)的结构图形；(6)得到释放后的器件层结构；(7)对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，再次通过电子束蒸发工艺对器件层上表面未被阴影掩膜遮挡的区域进行金属化，形成所需要的金属层2#(05)；(8)再利用解键合工艺去除了阴影掩膜，获得硅微悬臂梁谐振器，可以达到低成本、高合格率的大批量生产的要求。
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