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公开(公告)号：CN115332375B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN115332375A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN108054086B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201711277106.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。
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公开(公告)号：CN107634106B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710845729.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0392 , H01L31/09
Abstract: 一种增强可见光和近红外波段光吸收的二维材料光电探测器，属于光电探测器领域。包括P型硅衬底、表面具有钛金的氧化硅光栅、单层的二维材料，两侧的金属电极；所述衬底为高掺杂的P型硅；所述表面有金属层的氧化硅光栅为亚波长结构的超材料，所述单层定点转移的单层二维材料；在光照下，在金属层表面形成局域的表面激元。在可见光和近红外波段会产生强烈的局域表面激元共振；二维材料可以充分吸收局域表面激元共振所产生的电场增强而增益的能量；所述电极用以连接外接直流电源可以提供源极与漏极之间的偏压，将增益的电子形成光电流，从而产生光响应，实现其光电探测的功能。
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公开(公告)号：CN107818921A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710985285.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/24
Abstract: 一种基于二维平面异质结增强型场效应管的制备方法，涉及微电子器件应用领域。采用湿法转移，将石墨烯膜转移至带有氧化层的单晶硅片衬底上；在石墨烯膜上进行均匀旋涂光刻胶，将图案通过曝光转移至光刻胶上；将石墨烯膜刻蚀成石墨烯条，去光刻胶处理；将这种带有石墨烯条的衬底作为生长的基底，以CVD法进行生长MX2类单层或者少层材料，形成石墨烯-MX2-石墨烯面内异质结；在石墨烯-MX2-石墨烯异质结上蒸镀沉积Ti/Au金属，制得二维平面异质结增强型场效应管。本发明结合高载流子迁移率的半金属材料石墨烯与带隙随层数变化可调的MX2二维材料，获得高开关比的场效应管并且用于光电探测时具有暗电流很小等优良特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332374B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN117457785A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311418561.9
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/0376 , H01L31/20 , G06V10/77 , G06N3/10
Abstract: 一种基于氢化非晶硅的局域栅调控感算一体化器件及其制备方法，属于感算一体化领域。包括：基底上的局域底栅电极、局域底栅电极上和所述局域底栅电极未覆盖基底上的的电介质层、电介质层上的本征氢化非晶硅沟道层(a‑si：H)、本征氢化非晶硅(a‑si：H)沟道层两端相互对峙的源级和漏极。局域底电极、源极和漏极的材料为导电金属和导电金属氧化物，电介质层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝或者二氧化铪，基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明利用氢化非晶硅(a‑si：H)的物理特性，设计类脑光电传感器件，模拟人类视觉系统中的双极细胞功能，实现了光信号的探测以及预处理集成一体化的人工神经网络。
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公开(公告)号：CN108054086A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711277106.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。
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公开(公告)号：CN107579128A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710787812.9
申请日：2017-09-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于石墨烯的焦平面成像器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。基于石墨烯的焦平面成像器件，采用石墨烯和硫化铅量子点复合作为像元，其中高载流子迁移率的石墨烯为电荷传输层，硫化铅量子点为石墨烯基光敏吸收层，使器件在可见至近红外波段具有高灵敏和宽光谱的响应，同时焦平面像元的设计，使石墨烯在成像领域实现了应用。
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公开(公告)号：CN115692539A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211394928.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种可实现动态目标探测的视网膜形态光电探测器，属于光电探测器领域。光电探测器自上而下依次包括上电极(1)、绝缘层(2)、光吸收层(3)、下电极(4)，其中上电极为钛和金，绝缘层为二氧化硅，光吸收层为本征硅，下电极为铜。上电极(1)为多独立闭环排列组成，闭环数量对应图像传感器的像素数量，数量越多可以实现更加清晰的图像探测结果。并在每一个闭环一侧引出引线。每个闭环结构：下层为10nm厚的钛，上层为70nm厚的金。对于不变的光强信号本探测器不会输出信号，而当光强发生变化时，本探测器会输出一个脉冲电信号，脉冲强度与光强变化前后的比值呈正比关系。
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