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公开(公告)号：CN118983507A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411056682.8
申请日：2024-08-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/054 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供一种基于月壤成分构成的新型固态电池及其制备方法，所述电池包括金属负极、固态电解质和正极材料，所述固态电解质设置于所述金属负极和所述正极材料之间，其中，所述金属负极为铝(Al)，所述固态电解质为氧化铝(Al2O3)，所述正极材料为无定形二氧化钛(TiO2)。与从地球携带锂电池相比，本发明实现了地外资源的原位利用，大大降低了电池的生产成本。其制备工艺简单，且有效提升了电池的安全性能。该电池具备良好的工作能力，并且由于月壤在月球上的含量相当庞大，无需担心储量不足的问题。此方法拥有良好的应用前景，能够为未来月球上的长期居住提供可靠的能源解决方案。
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公开(公告)号：CN115332374B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN116463720A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310613404.7
申请日：2023-05-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备InAs纳米片的方法，属于InAs纳米片制备领域。在生长基片表面沉积催化剂，并对生长基片进行退火处理；将生长基片置于管式炉中载气流向下游的低温区，将InAs粉末放置于坩埚中并置于管式炉的中心温度，通入载气；反应时管式炉的中心温度分为三个阶段，第一阶段去除前驱体中的结合水阶段，第二阶段InAs纳米片的生长阶段，第三阶段自然降温阶段。本方法采用化学气相沉积法制备出InAs纳米片，为实现低成本高有效地生长InAs纳米片提供了参考，为CVD法生长纳米片提供了指导意义。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且成本低，适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116384173A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310118104.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F113/26
Abstract: 一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法，涉及光电探测器技术领域。包括以下步骤：(1)利用APSYS软件构建二类超晶格红外探测器结构模型；(2)引入二类超晶格红外探测器物理模型；(3)生成有限元分析算法模型；(4)运行仿真：在建立的物理模型基础上，对划分好的网格进行有限元分析迭代计算，仿真分析二类超晶格红外探测器光谱吸收和器件暗电流；(5)查看仿真结果；(6)获得该二类超晶格红外探测器模型的理论性能参数。本发明避免了复杂的物理公式计算，通过物理模型与灵活的仿真环境较为准确地仿真出二类超晶格红外探测器的性能，并寻找到吸收层结构和势垒层结构设计对于器件暗电流大小的影响规律，为材料的实验生长和器件的结构设计提供理论依据。
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公开(公告)号：CN115332375B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN115332375A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN118983353A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411052431.2
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , G01J1/42 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种高能激光探测器及其制备方法，涉及激光探测器领域。主体采用InGaAs为材料进行设计，包括沉积于衬底背部的薄膜周期结构，薄膜周期结构包括相互交替的Ta2O5层与SiO2层，利用不同折射率材料界面的反射作用，降低了1064nm高能激光的透过率，从而使InGaAs光电探测器具有1064nm高能激光的能力。并设计出针对1064nm、1315nm和1540nm三个波段激光的反射膜且进行了模拟，同样适用于此器件；还公开了高能激光探测器的制备方法，利用传统的微纳加工工艺进行高能激光探测器的制备，该制备方法工艺简单，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN115332374A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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