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公开(公告)号：CN115332374B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN114464265B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210057069.2
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法。本发明在Q‑chem软件中设置范围分离参数为0.01，输入分子的原子种类、坐标、电子数n和自旋多重度，基组ωb97xd，输出电子总能量E(ω)。输入电子数n‑1，软件输出EA(ω)，通过公式(1)计算得IP(ω)。输入电子数n+1，输出E‑(ω)，通过公式(2)计算EA(ω)。若最小化函数J(ω)小于0.0001，得最小范围分离参数ωmin，EHOMO(ωmin)，ELUMO(ωmin)。通过公式(3)计算库伦相互作用。通过公式(4)计算有机分子给/受体电荷转移态能量。本方法计算的电荷转移态能量较实验值误差小于0.1eV。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332375B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN115332375A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN115547419A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211217408.5
申请日：2022-10-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于分子动力学模拟测试硅基太阳电池表面粗糙度的方法，通过Lammps软件中“deposit”沉积命令将SiH3基团分子作为沉积对象，使SiH3基团分子沉积到光滑的晶体硅基底上；即采用分子动力学模拟中的沉积命令作为加载工具，根据牛顿第二定律，分子沉积后构成分子的原子的速度会发生变化，原子间的作用力会使SiH3分子生长在晶体硅上，即晶体硅上面生长了氢化非晶硅薄膜；采用混合势函数描述晶体硅和SiH3分子中原子和原子的相互作用。该方法基于开源软件Lammps和可视化工具Ovito，在可视化结果分析后结合粗糙度公式，从而计算得出晶硅上面生长的氢化非晶硅薄膜表面粗糙度大小，为实际中制备薄膜所需要的条件提供理论指导。
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公开(公告)号：CN115332374A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN114464265A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210057069.2
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法。本发明在Q‑chem软件中设置范围分离参数为0.01，输入分子的原子种类、坐标、电子数n和自旋多重度，基组ωb97xd，输出电子总能量E(ω)。输入电子数n‑1，软件输出EA(ω)，通过公式(1)计算得IP(ω)。输入电子数n+1，输出E‑(ω)，通过公式(2)计算EA(ω)。若最小化函数J(ω)小于0.0001，得最小范围分离参数ωmin，EHOMO(ωmin)，ELUMO(ωmin)。通过公式(3)计算库伦相互作用。通过公式(4)计算有机分子给/受体电荷转移态能量。本方法计算的电荷转移态能量较实验值误差小于0.1eV。
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