公开(公告)号：CN115547419A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211217408.5

申请日：2022-10-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  李汶玲 ,  郑子龙 ,  楚飞鸿 ,  周荣锟 ,  张美玉 ,  张永哲 ,  王如志

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/70 ,  G16C20/80 ,  G16C20/10 ,  G16C20/50

Abstract: 本发明公开了基于分子动力学模拟测试硅基太阳电池表面粗糙度的方法，通过Lammps软件中“deposit”沉积命令将SiH3基团分子作为沉积对象，使SiH3基团分子沉积到光滑的晶体硅基底上；即采用分子动力学模拟中的沉积命令作为加载工具，根据牛顿第二定律，分子沉积后构成分子的原子的速度会发生变化，原子间的作用力会使SiH3分子生长在晶体硅上，即晶体硅上面生长了氢化非晶硅薄膜；采用混合势函数描述晶体硅和SiH3分子中原子和原子的相互作用。该方法基于开源软件Lammps和可视化工具Ovito，在可视化结果分析后结合粗糙度公式，从而计算得出晶硅上面生长的氢化非晶硅薄膜表面粗糙度大小，为实际中制备薄膜所需要的条件提供理论指导。