一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法

    公开(公告)号:CN114464265B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202210057069.2

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法。本发明在Q‑chem软件中设置范围分离参数为0.01,输入分子的原子种类、坐标、电子数n和自旋多重度,基组ωb97xd,输出电子总能量E(ω)。输入电子数n‑1,软件输出EA(ω),通过公式(1)计算得IP(ω)。输入电子数n+1,输出E‑(ω),通过公式(2)计算EA(ω)。若最小化函数J(ω)小于0.0001,得最小范围分离参数ωmin,EHOMO(ωmin),ELUMO(ωmin)。通过公式(3)计算库伦相互作用。通过公式(4)计算有机分子给/受体电荷转移态能量。本方法计算的电荷转移态能量较实验值误差小于0.1eV。

    一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法

    公开(公告)号:CN114464265A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210057069.2

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法。本发明在Q‑chem软件中设置范围分离参数为0.01,输入分子的原子种类、坐标、电子数n和自旋多重度,基组ωb97xd,输出电子总能量E(ω)。输入电子数n‑1,软件输出EA(ω),通过公式(1)计算得IP(ω)。输入电子数n+1,输出E‑(ω),通过公式(2)计算EA(ω)。若最小化函数J(ω)小于0.0001,得最小范围分离参数ωmin,EHOMO(ωmin),ELUMO(ωmin)。通过公式(3)计算库伦相互作用。通过公式(4)计算有机分子给/受体电荷转移态能量。本方法计算的电荷转移态能量较实验值误差小于0.1eV。

    基于分子动力学模拟测试硅基太阳电池表面粗糙度的方法

    公开(公告)号:CN115547419A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211217408.5

    申请日:2022-10-03

    Abstract: 本发明公开了基于分子动力学模拟测试硅基太阳电池表面粗糙度的方法,通过Lammps软件中“deposit”沉积命令将SiH3基团分子作为沉积对象,使SiH3基团分子沉积到光滑的晶体硅基底上;即采用分子动力学模拟中的沉积命令作为加载工具,根据牛顿第二定律,分子沉积后构成分子的原子的速度会发生变化,原子间的作用力会使SiH3分子生长在晶体硅上,即晶体硅上面生长了氢化非晶硅薄膜;采用混合势函数描述晶体硅和SiH3分子中原子和原子的相互作用。该方法基于开源软件Lammps和可视化工具Ovito,在可视化结果分析后结合粗糙度公式,从而计算得出晶硅上面生长的氢化非晶硅薄膜表面粗糙度大小,为实际中制备薄膜所需要的条件提供理论指导。

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