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发明公开
一种高能激光探测器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118983353A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411052431.2

申请日：2024-08-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 , 李昊伯 , 李菁桢

IPC: H01L31/0216 , G01J1/42 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18

Abstract: 一种高能激光探测器及其制备方法，涉及激光探测器领域。主体采用InGaAs为材料进行设计，包括沉积于衬底背部的薄膜周期结构，薄膜周期结构包括相互交替的Ta2O5层与SiO2层，利用不同折射率材料界面的反射作用，降低了1064nm高能激光的透过率，从而使InGaAs光电探测器具有1064nm高能激光的能力。并设计出针对1064nm、1315nm和1540nm三个波段激光的反射膜且进行了模拟，同样适用于此器件；还公开了高能激光探测器的制备方法，利用传统的微纳加工工艺进行高能激光探测器的制备，该制备方法工艺简单，适合大规模生产。

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