公开(公告)号：CN116465496A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310396982.X

申请日：2023-04-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 马洋 ,  周梦晨 ,  张永哲 ,  王晓亭 ,  陈虎

IPC: G01J4/04

Abstract: 一种高精度线偏振信息测量装置，涉及半导体线偏振光信息测量相关技术领域。包括探测单元模块、电压处理模块、计算及输出模块三部分。两组通过电路串联且最大偏振敏感方向分别相差45°的4个探测器作为探测单元模块，当线偏振光照射下，在一定电源偏置下，探测单元模块产生两路电压，产生的电压仅与偏振角度有关；两路电压经过电压处理模块，分别通过编程增益的电压放大器和差值处理电路得到一路过滤了共模干扰的电压信号；最后将处理后的电压信号传递给计算及输出模块，模块中的计算单元通过计算处理通过通信的方式交给显示设备，得到可视化的线偏振信息。

公开(公告)号：CN117457785A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311418561.9

申请日：2023-10-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王晓亭 ,  刘峰铭 ,  邓文杰 ,  武一

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  G06V10/77 ,  G06N3/10

Abstract: 一种基于氢化非晶硅的局域栅调控感算一体化器件及其制备方法，属于感算一体化领域。包括：基底上的局域底栅电极、局域底栅电极上和所述局域底栅电极未覆盖基底上的的电介质层、电介质层上的本征氢化非晶硅沟道层(a‑si：H)、本征氢化非晶硅(a‑si：H)沟道层两端相互对峙的源级和漏极。局域底电极、源极和漏极的材料为导电金属和导电金属氧化物，电介质层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝或者二氧化铪，基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明利用氢化非晶硅(a‑si：H)的物理特性，设计类脑光电传感器件，模拟人类视觉系统中的双极细胞功能，实现了光信号的探测以及预处理集成一体化的人工神经网络。

公开(公告)号：CN118133912A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410282220.1

申请日：2024-03-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈小青 ,  赵月慧 ,  王晓亭 ,  张永哲 ,  史浩霖 ,  郑子龙 ,  严辉

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/044 ,  G06N3/048 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 一种使用基于铁电调控钙钛矿场效应管突触器件作为循环神经网络隐藏层单元的方法，涉及光电突触领域。首先制备铁电调控的钙钛矿突触器件并进行场效应管电学行为和突触行为的验证，确定RNN的两个权重参数Wx、Wh在器件中的实现机制并在器件中实现可塑性调控，经过拟合得到满足RNN激活函数下的器件输出曲线，提取权重参数以能实现器件端的图像处理任务。通过实现铁电调控钙钛矿场效应管的突触权重(电导)可塑性以获得类似RNN循环神经网络隐藏层单元的片上模拟信号运算的效果，从而实现高效低训练时间和成本的图像处理。

公开(公告)号：CN117855299A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410032858.X

申请日：2024-01-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王晓亭 ,  刘峰铭 ,  邓文杰 ,  张永哲

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/036 ,  H01L31/101

Abstract: 一种放大光电响应偏振比的异质结器件结构，属于异质结器件领域。器件结构自下向上依次包括：基底、具有各向异性晶体结构的材料、绝缘层、具有各向同性晶体结构的材料、形成于所述具有各向同性晶体结构的材料两端相互对峙的源级和漏极。所述绝缘层的材料为氮化硼、氧化硅或者氮化硅，绝缘层厚度应为50nm以上，所述基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明提供的放大光电响应偏振比的异质结器件在不同线偏振态的线偏振光照射下，由于各向异性晶体结构的材料会产生各向异性的光吸收，从而产生不同大小的光致栅压，不同大小的光致栅压对沟道电流在亚阈值区域呈非线性变化，从而放大异质结器件的光电响应偏振比。

公开(公告)号：CN116621713A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310584396.8

申请日：2023-05-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 马洋 ,  陈虎 ,  张永哲 ,  王晓亭 ,  周梦晨

IPC: C07C211/27 ,  H10K85/50 ,  H10K30/40 ,  C07C209/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66

Abstract: 一种有机‑无机杂化手性钙钛矿薄膜的制备方法，属于有机‑无机杂化手性钙钛矿材料领域。本方法直接将手性有机盐和卤化铅前驱体混合溶解于有机溶剂中，进行充分搅拌直至完全溶解，再使用移液枪滴加在旋涂所用的透明衬底上，后续再经过退火处理，在常压下，生成高质量手性钙钛矿薄膜样品，薄膜表面均匀性高，并且能够用于圆偏振光电探测。该工艺步骤简单，可复现性高，周期较短，且成本低廉。