公开(公告)号：CN117457785A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311418561.9

申请日：2023-10-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王晓亭 ,  刘峰铭 ,  邓文杰 ,  武一

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  G06V10/77 ,  G06N3/10

Abstract: 一种基于氢化非晶硅的局域栅调控感算一体化器件及其制备方法，属于感算一体化领域。包括：基底上的局域底栅电极、局域底栅电极上和所述局域底栅电极未覆盖基底上的的电介质层、电介质层上的本征氢化非晶硅沟道层(a‑si：H)、本征氢化非晶硅(a‑si：H)沟道层两端相互对峙的源级和漏极。局域底电极、源极和漏极的材料为导电金属和导电金属氧化物，电介质层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝或者二氧化铪，基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明利用氢化非晶硅(a‑si：H)的物理特性，设计类脑光电传感器件，模拟人类视觉系统中的双极细胞功能，实现了光信号的探测以及预处理集成一体化的人工神经网络。

公开(公告)号：CN115692539A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211394928.3

申请日：2022-11-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  武一 ,  陈小青 ,  邓文杰

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种可实现动态目标探测的视网膜形态光电探测器，属于光电探测器领域。光电探测器自上而下依次包括上电极(1)、绝缘层(2)、光吸收层(3)、下电极(4)，其中上电极为钛和金，绝缘层为二氧化硅，光吸收层为本征硅，下电极为铜。上电极(1)为多独立闭环排列组成，闭环数量对应图像传感器的像素数量，数量越多可以实现更加清晰的图像探测结果。并在每一个闭环一侧引出引线。每个闭环结构：下层为10nm厚的钛，上层为70nm厚的金。对于不变的光强信号本探测器不会输出信号，而当光强发生变化时，本探测器会输出一个脉冲电信号，脉冲强度与光强变化前后的比值呈正比关系。