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公开(公告)号：CN108054086A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711277106.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。
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公开(公告)号：CN110808281A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911084034.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/225 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法，属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理，实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发，通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是，在可精确控温的管式炉中，使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体，控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2-WS2横向异质结，具有微米级清晰的异质结分界线，横向尺寸可达到一百微米以上。该方法生长过程可控性高，能够有效的扩宽生长温度窗口，降低生长温度，实现尺寸、界面可控生长。
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公开(公告)号：CN107634106A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710845729.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0392 , H01L31/09
Abstract: 一种增强可见光和近红外波段光吸收的二维材料光电探测器，属于光电探测器领域。包括P型硅衬底、表面具有钛金的氧化硅光栅、单层的二维材料，两侧的金属电极；所述衬底为高掺杂的P型硅；所述表面有金属层的氧化硅光栅为亚波长结构的超材料，所述单层定点转移的单层二维材料；在光照下，在金属层表面形成局域的表面激元。在可见光和近红外波段会产生强烈的局域表面激元共振；二维材料可以充分吸收局域表面激元共振所产生的电场增强而增益的能量；所述电极用以连接外接直流电源可以提供源极与漏极之间的偏压，将增益的电子形成光电流，从而产生光响应，实现其光电探测的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107527968A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710578169.9
申请日：2017-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113
CPC classification number: H01L31/1136
Abstract: 一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，属于光电探测技术领域。光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯-二硫化钼异质结，其中石墨烯-二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯-二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器具有良好整流及光电特性。
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公开(公告)号：CN107481924A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710578166.5
申请日：2017-07-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L21/0405 , H01L21/34
Abstract: 一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法，涉及到二维材料异质结制备领域。采用在硅/二氧化硅衬底上直接机械剥离制备薄层石墨烯材料，然后运用化学气相沉积的方法直接在上述衬底上沉积二硫化钼材料，实现由所述两种材料构成的侧向异质结的形成。本发明获得异质结材料的方法工艺简单，并且基础工艺成熟，能够避免传统方法中带来的一些对材料的污染，大大提高了石墨烯/二硫化钼异质结材料制备的成功率，减小了制备的难度，为将来异质结材料的量化生产提供了一种良好的思路和方法。
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公开(公告)号：CN108054086B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201711277106.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。
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公开(公告)号：CN107634106B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710845729.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0392 , H01L31/09
Abstract: 一种增强可见光和近红外波段光吸收的二维材料光电探测器，属于光电探测器领域。包括P型硅衬底、表面具有钛金的氧化硅光栅、单层的二维材料，两侧的金属电极；所述衬底为高掺杂的P型硅；所述表面有金属层的氧化硅光栅为亚波长结构的超材料，所述单层定点转移的单层二维材料；在光照下，在金属层表面形成局域的表面激元。在可见光和近红外波段会产生强烈的局域表面激元共振；二维材料可以充分吸收局域表面激元共振所产生的电场增强而增益的能量；所述电极用以连接外接直流电源可以提供源极与漏极之间的偏压，将增益的电子形成光电流，从而产生光响应，实现其光电探测的功能。
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公开(公告)号：CN107818921A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710985285.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/24
Abstract: 一种基于二维平面异质结增强型场效应管的制备方法，涉及微电子器件应用领域。采用湿法转移，将石墨烯膜转移至带有氧化层的单晶硅片衬底上；在石墨烯膜上进行均匀旋涂光刻胶，将图案通过曝光转移至光刻胶上；将石墨烯膜刻蚀成石墨烯条，去光刻胶处理；将这种带有石墨烯条的衬底作为生长的基底，以CVD法进行生长MX2类单层或者少层材料，形成石墨烯-MX2-石墨烯面内异质结；在石墨烯-MX2-石墨烯异质结上蒸镀沉积Ti/Au金属，制得二维平面异质结增强型场效应管。本发明结合高载流子迁移率的半金属材料石墨烯与带隙随层数变化可调的MX2二维材料，获得高开关比的场效应管并且用于光电探测时具有暗电流很小等优良特性。
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