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公开(公告)号:CN112803033B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202110200615.9
申请日:2021-02-23
Applicant: 北京大学 , 北京华胜信安电子科技发展有限公司
IPC: H01M8/0228 , H01M8/0206
Abstract: 本发明公开了一种用于燃料电池金属双极板的薄膜及其制备方法,该薄膜由氧化物掺杂氮化物组成,氧化物为Al2O3、TiO2、ZrO2、SiO2中一种或两种以上物质混合而成,氮化物为CrN、TiN、NbN、ZrN中的一种;该薄膜中氧化物的百分含量为1‑5at%,其余为氮化物。该方法包括如下步骤:步骤一:清洗金属衬底,打磨金属单质靶材;步骤二:将金属衬底、金属单质靶材和氧化物靶材安装于磁控溅射镀膜机内,进行预溅射;步骤三:将金属衬底接入负偏压,通入氮气和氩气;步骤四:进行磁控溅射,金属衬底表面沉积氧化物和氮化物,形成薄膜。本发明的薄膜具备优异的耐腐蚀性和导电性并且寿命长,疏水性佳,各项指标均满足DOE标准。
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公开(公告)号:CN113042728B
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202110264242.1
申请日:2021-03-11
Applicant: 北京大学 , 中国石油天然气股份有限公司勘探开发研究院
Abstract: 本发明公开了Mg‑Li合金纳米粉体及其制备方法与应用,该纳米粉体中Li与Mg的摩尔比小于35%,纳米粉体的颗粒尺寸小于1μm。该方法包括如下步骤:S1:采用感应炉制备Mg‑Li合金锭;S2:采用氢等离子体电弧仪器将S1中所述Mg‑Li合金锭制备为Mg‑Li合金纳米粉体。所述S1包括如下步骤:S1.1:将Mg和Li置于感应炉中,抽真空;S1.2:向感应炉中通入惰性气体,在800‑1000℃下熔炼8min‑12min,然后浇注在铜坩埚上,冷却,得到Mg‑Li合金锭。本发明的Mg‑Li合金纳米粉体具有优异的可逆吸放氢能力,有望满足DOE标准,合金纳米粉体制备方法,操作简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN111485114B
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201910074664.5
申请日:2019-01-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢等离子体电弧熔炼与区域熔炼技术相结合制备高纯无氧钆金属锭的方法,通过采用本发明所提供的电弧熔炼炉,使得氢等离子体电弧熔炼与区域熔炼两种技术相结合,进而能够制备得到低杂质无氧高纯度的稀土金属Gd,其纯度能达到99.97%以上,氧含量能够降至15ppm,而且本发明提供的方法操作简单,利于实现。
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公开(公告)号:CN112803033A
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN202110200615.9
申请日:2021-02-23
Applicant: 北京大学 , 北京华胜信安电子科技发展有限公司
IPC: H01M8/0228 , H01M8/0206
Abstract: 本发明公开了一种用于燃料电池金属双极板的薄膜及其制备方法,该薄膜由氧化物掺杂氮化物组成,氧化物为Al2O3、TiO2、ZrO2、SiO2中一种或两种以上物质混合而成,氮化物为CrN、TiN、NbN、ZrN中的一种;该薄膜中氧化物的百分含量为1‑5at%,其余为氮化物。该方法包括如下步骤:步骤一:清洗金属衬底,打磨金属单质靶材;步骤二:将金属衬底、金属单质靶材和氧化物靶材安装于磁控溅射镀膜机内,进行预溅射;步骤三:将金属衬底接入负偏压,通入氮气和氩气;步骤四:进行磁控溅射,金属衬底表面沉积氧化物和氮化物,形成薄膜。本发明的薄膜具备优异的耐腐蚀性和导电性并且寿命长,疏水性佳,各项指标均满足DOE标准。
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公开(公告)号:CN109243994B
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN201811089232.3
申请日:2018-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法,所述MOS结构包括高k栅介质薄膜,所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括:清洗衬底,对靶材进行预处理;通入含氧气体,在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜;在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极,得到所述MOS结构;对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上,采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单,易于实现,制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能;检测方法直观、操作方便。
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公开(公告)号:CN113042728A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110264242.1
申请日:2021-03-11
Applicant: 北京大学 , 中国石油天然气股份有限公司勘探开发研究院
Abstract: 本发明公开了Mg‑Li合金纳米粉体及其制备方法与应用,该纳米粉体中Li与Mg的摩尔比小于35%,纳米粉体的颗粒尺寸小于1μm。该方法包括如下步骤:S1:采用感应炉制备Mg‑Li合金锭;S2:采用氢等离子体电弧仪器将S1中所述Mg‑Li合金锭制备为Mg‑Li合金纳米粉体。所述S1包括如下步骤:S1.1:将Mg和Li置于感应炉中,抽真空;S1.2:向感应炉中通入惰性气体,在800‑1000℃下熔炼8min‑12min,然后浇注在铜坩埚上,冷却,得到Mg‑Li合金锭。本发明的Mg‑Li合金纳米粉体具有优异的可逆吸放氢能力,有望满足DOE标准,合金纳米粉体制备方法,操作简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN109148571B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201811045596.1
申请日:2018-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法,其中,所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜,其中,所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括:步骤1,选择衬底,并对衬底和靶材进行预处理;步骤2,在衬底上溅射第一层薄膜;步骤3,在第一层薄膜上溅射第二层薄膜,得到复合薄膜;步骤4,将得到的复合薄膜进行退火处理,制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单,易于实现,易于扩大生产,制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。
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公开(公告)号:CN114990605B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202210663348.3
申请日:2022-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PEM水电解槽金属双极板的复合涂层及其制备方法。该复合涂层的组分包括过渡金属氮化物,还包括氧化物或者碳,其中氧化物选自IIIA、IVA、IIIB、IVB和VB族氧化物中的至少一者,氮化物为过渡金属氮化物;其腐蚀电流密度为0.05~0.6μA/cm2,和/或接触电阻为2.1~8mΩ·cm2。本发明提供的复合涂层具有优异的耐腐蚀性、导电性和耐久性。
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公开(公告)号:CN113937301B
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202111034382.6
申请日:2021-09-03
Applicant: 北京大学 , 北京华胜信安电子科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了金属双极板表面过渡金属氮化物与碳复合改性薄膜及其制备方法,将金属衬底、金属单质靶和石墨靶安装于磁控溅射镀膜机内,在含氮气体和负偏压作用下经溅射制得所述改性薄膜。由于纯碳中sp3价键含量明显大于sp2价键,所以其具备优异的耐腐蚀性,而纯金属氮化物具有优异的导电性,因此制得的改性薄膜具有优异的耐腐蚀性、导电性和疏水性。本发明提供的改性薄膜的制备条件可控,易于实现大规模生产。
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公开(公告)号:CN114990605A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210663348.3
申请日:2022-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PEM水电解槽金属双极板的复合涂层及其制备方法。该复合涂层的组分包括过渡金属氮化物,还包括氧化物或者碳,其中氧化物选自IIIA、IVA、IIIB、IVB和VB族氧化物中的至少一者,氮化物为过渡金属氮化物;其腐蚀电流密度为0.05~0.6μA/cm2,和/或接触电阻为2.1~8mΩ·cm2。本发明提供的复合涂层具有优异的耐腐蚀性、导电性和耐久性。
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