公开(公告)号：CN109243994A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811089232.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 武燕庆 ,  李栓 ,  傅凯 ,  林友宇 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。

公开(公告)号：CN109243994B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201811089232.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 武燕庆 ,  李栓 ,  傅凯 ,  林友宇 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。

公开(公告)号：CN113437318A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110713614.4

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 靳汝湄 ,  余洪蒽 ,  林友宇 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01M4/92 ,  H01M4/90 ,  H01M4/88 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种碳负载的贵金属合金纳米颗粒及其制备方法和应用。碳负载的贵金属合金纳米颗粒为碳载体负载的贵金属与稀土金属或碱土金属的合金纳米颗粒，平均颗粒尺寸在5nm‑100nm之间，贵金属与稀土金属或碱土金属合金在碳载体上的负载量在1％‑50％之间；由如下步骤而制得：(1)将贵金属氯化物、碱金属氯化物、稀土金属原料或碱土金属原料、碳进行混合并且球磨，得到磨碎混合物，(2)将所述磨碎混合物在600℃‑800℃的温度下加热反应1‑20h。碳负载的贵金属合金纳米颗粒的物相纯，颗粒尺寸小，在多孔碳基底上分布均匀，对氧气还原反应具有很高的催化活性，具有优异的电催化性能。