公开(公告)号：CN109243994B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201811089232.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 武燕庆 ,  李栓 ,  傅凯 ,  林友宇 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。

公开(公告)号：CN109148571B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201811045596.1

申请日：2018-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 李栓 ,  武燕庆 ,  傅凯 ,  田文怀 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜，其中，所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括：步骤1，选择衬底，并对衬底和靶材进行预处理；步骤2，在衬底上溅射第一层薄膜；步骤3，在第一层薄膜上溅射第二层薄膜，得到复合薄膜；步骤4，将得到的复合薄膜进行退火处理，制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产，制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。

公开(公告)号：CN109243994A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811089232.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 武燕庆 ,  李栓 ,  傅凯 ,  林友宇 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。

公开(公告)号：CN109148571A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811045596.1

申请日：2018-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 李栓 ,  武燕庆 ,  傅凯 ,  田文怀 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜，其中，所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括：步骤1，选择衬底，并对衬底和靶材进行预处理；步骤2，在衬底上溅射第一层薄膜；步骤3，在第一层薄膜上溅射第二层薄膜，得到复合薄膜；步骤4，将得到的复合薄膜进行退火处理，制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产，制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。