带隙基准电路
    1.
    发明公开
    带隙基准电路 审中-公开

    公开(公告)号:CN120029404A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510192182.5

    申请日:2025-02-20

    Abstract: 本申请提供了一种带隙基准电路,包括:偏置电压产生单元,根据基准电流产生偏置电压;基准电压产生单元,包括具有不同的开启电压的第一支路和第二支路,第一支路接收第一电压;电流镜单元,使第一支路和第二支路上的电流大小相等;基准电压产生单元根据第一电压、第一支路和第二支路的开启电压之差,在第二支路上产生带隙基准电压。本申请方案使用N型PMOS器件的电路代替需使用多个BJT器件的电路,极大程度地减小了电路面积。

    参考电压产生电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119200737A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411273765.2

    申请日:2024-09-11

    Abstract: 公开了一种参考电压产生电路,包括用于产生偏置电流的电流偏置电路、分压电路和温度补偿电路,分压电路包括产生负温度系数电压的双极型晶体管、作为分压器件的至少两个第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,第一NMOS管级联连接在该双极型晶体管的发射极和地之间;第一PMOS管的栅极与该发射极连接,源极通过第一电阻与电源连接;第二PMOS管连接在第一个第一NMOS管的漏极与电源之间,栅极与第一PMOS管的源极连接,第二PMOS管为native器件。通过温度补偿电路的正温度系数特性电压,来补偿第一电压的负温度系数特性,从而可以输出零温度系数参考电压。该电路可以保证分压器件不超过耐压,同时处于正常工作区域,从而保证参考电压的准确性和稳定性。

    一种供电电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117856387B

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202311755504.X

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明涉及通讯技术领域,公开了一种供电电路,升压模块将通讯总线的电压进行升压后为芯片内部模块供电,从而解决了低压下内部电压余量不足问题,设计难度降低同时;也无需外部储能电容,节约了成本;同时升压模块电源自适应技术,无需电源检测模块,解决了电源检测模块响应速度带来的功耗浪费问题。

    一种具有失调校准的低成本模拟测试电路

    公开(公告)号:CN113945828B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202111212953.0

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 本发明为一种具有失调校准的低成本模拟测试电路,实现了模拟信号的高度自动化测量,可广泛应用于模拟电路中的直流电压电流的测量与筛选。在IC行业激烈竞争的今天,测试资源非常紧缺,降低测试时间,尽可能减少测试资源的占用,对降低芯片成本具有重要意义。在相同测试成本下,也可通过投入更多测试项,利用丰富的测试手段解决电路设计中难以解决的问题成为可能。本设计实现了片内高度自动化测试,在使用很少的测试资源基础上,可以快速且高精度的完成多项测试。设计仅使用一个测试PAD实现多信号的测试,既减少了PAD面积和封装成本,也防止芯片内部信号直接输出到PAD,提高芯片的安全性。另外,设计具有失调校准功能,以提高测试精度。

    一种供电电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117856387A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311755504.X

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明涉及通讯技术领域,公开了一种供电电路,升压模块将通讯总线的电压进行升压后为芯片内部模块供电,从而解决了低压下内部电压余量不足问题,设计难度降低同时;也无需外部储能电容,节约了成本;同时升压模块电源自适应技术,无需电源检测模块,解决了电源检测模块响应速度带来的功耗浪费问题。

    嵌入式Flash存储器的驱动电路

    公开(公告)号:CN116168749B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310204047.9

    申请日:2023-03-06

    Inventor: 陈艳 孟颖

    Abstract: 本公开提供了一种嵌入式Flash存储器的驱动电路,嵌入式Flash存储器包括多个扇区,每个扇区包括至少一行的多个存储单元,各行存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线,各行存储单元的选择栅极连接于同一条选择栅线;各列存储单元的漏端连接于同一条位线,同一扇区的多个存储单元的源端连接于同一条源线,同一扇区中的多个存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线;驱动电路向选中扇区和非选中扇区提供相同的选择电压、相同的位线电压、相同的源线电压以及相同的阱区电压,向选中扇区和非选中扇区提供不同的控制电压。本公开可以降低非选中扇区的阱区电压和源线电压之间的压差以及控制电压和源线电压之间的压差从而减小擦除干扰。

    用于存储器的驱动电路及存储器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116486849A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310457056.9

    申请日:2023-04-24

    Abstract: 公开了一种用于存储器的驱动电路及存储器,所述驱动电路包括:参考电压模块,根据电源电压产生参考电压并输出;镜像模块,根据所述参考电压、电源电压产生多路驱动电流;补偿控制模块,在使能信号变为有效状态开始的预设时间内根据所述使能信号产生控制信号;以及补偿模块,与所述参考电压的输出端连接,根据所述控制信号调节所述输出端处的电流,以调节所述参考电压。本申请提供的用于存储器的驱动电路及存储器,可以降低使能信号切换时参考电压受到的波动干扰和减少参考电压恢复到目标值的时间,进而提高读取数据的可靠性。

    一种高精度低功耗抗干扰电压检测电路装置

    公开(公告)号:CN115656601A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211209757.2

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种高精度低功耗抗干扰电压检测电路装置。在电源管理系统中,需要对电压进行实时监测,当超过/低于一定值后,给系统发送报警信号,这就需要电压检测电路。本发明提出的电压检测电路在可以做到检测点精确的同时,具有低功耗的优点,且其内部有脉宽产生和锁存电路,在外界激励变化时可以防止输出误翻转(抗干扰),其主要由低功耗的比较器、高方阻的电阻网络、脉宽屏蔽信号产生电路、锁存电路、滞回功能模块和检测点选择电路组成。

    一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构

    公开(公告)号:CN112859997A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110150549.9

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明为一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构,应用于对基准电压温度系数要求较高的芯片中。随着芯片制造工艺进入纳米级,但电源电压往往不能同比例下降,导致MOS器件的漏电越来越严重。但是器件漏电模型的准确建立对工艺而言较为困难,目前许多工艺的器件漏电模型都不够准确。由于漏电大小受温度影响,漏电对带隙基准参考电压的温度系数产生了不可忽视的影响。漏电模型不够准确,带隙基准电路的设计遭遇了温度系数仿真结果与实际芯片测试结果差异很大的问题。这就需要在测试过程中对,带隙基准电压的温度系数进行trim。本设计提出了一种具有offset自校准功能的,实现带隙基准电压在高温、常温、低温进行温度系数TRIM的低成本方案。

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