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公开(公告)号：CN119182287A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411217623.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种供电电路包括：为了减少储能电容的使用，降低芯片成本，本发明电压检测电路通过检测储能电容电压以判断是否需要启动电荷泵，并采用PUMP将储能电容上的电压充到较高的电压值，存储更多的电荷量，同时降低PUMP对1‑Wire接口的噪声干扰；当需要启动电荷泵时，控制电路通过控制多个电荷泵分时启动，从而避免由于电荷泵同时启动造成功耗大、产生功耗峰值的情况。
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公开(公告)号：CN113886297B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111137786.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于DMA的SPI并发通讯SE装置及方法,属于通信技术领域。本发明通过：1)SPI接口模块增加接收通道与发送通道可开关机制，以及SPI接口模块引入自动发送转接收功能，以较低的设计成本与较好的兼容性，解决市面上常规DMA传输方法不能适应SPI总线特性(全双工与同步机制)的问题，同时很好的适应了SPI与其余接口并发通讯场景下的互相干扰问题；2)DMA模块增加外设请求传输停止信号，SPI接口模块增加接收与发送完成中断，同时给DMA模块发送高电平请求，强制接收或发送数据完成时停止DMA传输，以较小的设计代价解决了通过SPI接口传输时，主机MCU端与从机SE端收发数据长度不匹配时的异常问题，提高了SPI与其余接口并发通讯场景下的传输可靠性。
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公开(公告)号：CN115268768A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210781546.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 李建波
Abstract: 本发明提供一种提升NOR FLASH擦写寿命的存储器控制方法，应用于数据存储领域。本发明包括5个阶段：阶段1，CPU配置与状态获取；阶段2，控制模块启动擦写操作；阶段3，擦写操作执行；阶段4，更新索引页；阶段5，擦写操作完成。针对NOR FLASH擦写寿命问题，引入索引页，记录数据页使用容量，采用一次擦除，多次写入的思想来提高数据页的利用率，进而提高擦写寿命。本发明索引页的1个Word对应一个数据页，其中1Bit对应数据页的4个Word，针对频繁写入的数据，如果数据量小于4个Word，则可以提高32倍擦写寿命。
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公开(公告)号：CN119375679A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411803523.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 李建波
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种芯片老化测试方法及系统。根据本发明实施例的芯片老化测试方法包括向老化测试芯片发送控制信号，在所述控制信号的控制下，所述老化测试芯片进入老化模式；在所述老化测试芯片处于所述老化模式时，获取所述老化测试芯片反馈的状态信息；以及根据所述状态信息，判断所述老化测试芯片是否达到老化预期。根据本发明实施例的芯片老化测试方法及系统，老化测试芯片的老化测试记录由外部实现，降低了芯片的设计复杂度，减小了芯片所需面积。
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公开(公告)号：CN114076883B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111327774.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种老化电路、芯片老化测试方法及芯片。该老化电路包括：随机数发生模块，根据模式信号生成老化图形；以及扫描链模块，至少根据模式信号将老化图形发送至待测电路，其中，随机数发生模块在接收到有效状态的模式信号之后，生成随机数，并根据随机数生成随机的老化图形。该老化电路降低了老化板硬件开发成本，并且提供了随机的老化图形，使得所有的图形组合都有机会被施加到待测电路，即待测电路中的所有逻辑结构都有机会被图形遍历到，保证了老化测试覆盖率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119849401A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411822092.1
申请日：2024-12-11
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F30/333 , G06F30/33 , G06F21/72 , G06F21/64
Abstract: 本公开提供一种保护电路、测试模式保护方法和芯片，包括：随机数发生电路，生成若干随机数；控制逻辑电路，根据若干随机数，确定写入的防攻击验证数据，并确定读取熔丝数据和已写入的防攻击验证数据的读取顺次；计数逻辑电路，根据所述若干随机数中的任一随机数进行计时处理，并在计时时长达到对应时长时，根据读取顺次读取熔丝数据和已写入的防攻击验证数据；判断逻辑电路，根据写入的防攻击验证数据，与读取到的已写入的防攻击验证数据是否一致，以及读到的熔丝数据是否为表示锁定状态的值，确定是否进入测试模式。据此，增加了攻击难度，即使某次攻击成功修改了熔丝数据，验证步骤也会检测到异常并阻止进入测试模式，从而有效保护数据。
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公开(公告)号：CN117856387B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202311755504.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及通讯技术领域，公开了一种供电电路，升压模块将通讯总线的电压进行升压后为芯片内部模块供电，从而解决了低压下内部电压余量不足问题，设计难度降低同时；也无需外部储能电容，节约了成本；同时升压模块电源自适应技术，无需电源检测模块，解决了电源检测模块响应速度带来的功耗浪费问题。
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公开(公告)号：CN117856387A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311755504.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及通讯技术领域，公开了一种供电电路，升压模块将通讯总线的电压进行升压后为芯片内部模块供电，从而解决了低压下内部电压余量不足问题，设计难度降低同时；也无需外部储能电容，节约了成本；同时升压模块电源自适应技术，无需电源检测模块，解决了电源检测模块响应速度带来的功耗浪费问题。
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公开(公告)号：CN114076883A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111327774.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种老化电路、芯片老化测试方法及芯片。该老化电路包括：随机数发生模块，根据模式信号生成老化图形；以及扫描链模块，至少根据模式信号将老化图形发送至待测电路，其中，随机数发生模块在接收到有效状态的模式信号之后，生成随机数，并根据随机数生成随机的老化图形。该老化电路降低了老化板硬件开发成本，并且提供了随机的老化图形，使得所有的图形组合都有机会被施加到待测电路，即待测电路中的所有逻辑结构都有机会被图形遍历到，保证了老化测试覆盖率。
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公开(公告)号：CN113903393A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110953010.7
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种提升NOR FLASH可靠性的方法，应用于芯片安全存储领域。该方法包括5个阶段：阶段1，更新擦除次数统计页；阶段2，更新ECC错误统计页；阶段3，更新地址映射信息页；阶段4，初始化地址映射表；阶段5，逻辑地址访问物理区。针对NOR FLASH可靠性问题，引入物理状态统计区包含擦除次数统计页和ECC错误统计页，擦除次数影响可靠性，而ECC错误表示发生失效，通过以上信息可以有效地评价NOR FLASH可靠性水平。同时加入冗余物理区，通过地址映射表替换失效的原始物理区。本发明提出的方法不仅可以评价NOR FLASH可靠性水平，同时提升NOR FLASH可靠性。
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