公开(公告)号：CN119182287A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411217623.4

申请日：2024-08-30

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 柳雪晶 ,  刘明磊 ,  陈艳 ,  李建波

IPC: H02M1/36 ,  H04B15/00 ,  H02M1/00 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种供电电路包括：为了减少储能电容的使用，降低芯片成本，本发明电压检测电路通过检测储能电容电压以判断是否需要启动电荷泵，并采用PUMP将储能电容上的电压充到较高的电压值，存储更多的电荷量，同时降低PUMP对1‑Wire接口的噪声干扰；当需要启动电荷泵时，控制电路通过控制多个电荷泵分时启动，从而避免由于电荷泵同时启动造成功耗大、产生功耗峰值的情况。

公开(公告)号：CN116470476A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310193656.9

申请日：2023-02-24

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘明磊

IPC: H02H9/04 ,  H02H1/00 ,  H02M1/088

Abstract: 本申请提供一种静电放电电路及电子设备。静电放电电路包括电源端、上电复位电路、泄放电路及调整电路。上电复位电路与电源端连接；上电复位电路包括电压释放点，且用于指示电源电压是否达到电压释放点；泄放电路与电源端连接；泄放电路包括泄放开关和与泄放开关连接的第一泄放回路或第二泄放回路；调整电路与电源端、上电复位电路及泄放电路连接；调整电路用于在上电复位电路指示电源电压未达到电压释放点时，控制泄放开关关闭，通过第一泄放回路泄放；且用于在上电复位电路指示电源电压达到电压释放点时，控制泄放开关导通，通过第二泄放回路泄放；其中第二泄放回路的泄放电流大于第一泄放回路的泄放电流。实现泄放能力可调，适用范围更广。

公开(公告)号：CN112859997B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110150549.9

申请日：2021-02-03

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 柳雪晶 ,  刘明磊 ,  陈艳 ,  张洪涛 ,  陈永强

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明为一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构，应用于对基准电压温度系数要求较高的芯片中。随着芯片制造工艺进入纳米级，但电源电压往往不能同比例下降，导致MOS器件的漏电越来越严重。但是器件漏电模型的准确建立对工艺而言较为困难，目前许多工艺的器件漏电模型都不够准确。由于漏电大小受温度影响，漏电对带隙基准参考电压的温度系数产生了不可忽视的影响。漏电模型不够准确，带隙基准电路的设计遭遇了温度系数仿真结果与实际芯片测试结果差异很大的问题。这就需要在测试过程中对，带隙基准电压的温度系数进行trim。本设计提出了一种具有offset自校准功能的，实现带隙基准电压在高温、常温、低温进行温度系数TRIM的低成本方案。

公开(公告)号：CN105574455B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510753296.9

申请日：2015-11-09

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 马华 ,  刘明磊

IPC: G06K7/10

Abstract: 本发明公开了一种用于磁场耦合通讯的调制电路，包括：主设备电路和从设备电路，所述主设备电路的主线圈和从设备电路的次级线圈通过磁场耦合；所述从设备电路还包括：浮地产生电路和谐振电容可调电路，所述浮地产生电路产生的浮地端GND与从所述设备电路的地级相连接，所述浮地产生电路的第一端口连接次级线圈电感的LA端口，所述浮地产生电路的第二端口连接次级线圈电感的LB端口；所述谐振电容可调电路以次级线圈的端口LA、LB作为输入输出端口，所述谐振电容可调电路的地级与所述浮地端GND相连接；所述谐振电容可调电路包括开关和可调电容，可调电容与开关串联后两端分别连接所述浮地端GND和次级线圈的端口LA或者LB，编码Code控制所述开关的通断。

公开(公告)号：CN106295073A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610757976.2

申请日：2016-08-29

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘明磊

IPC: G06F17/50

Abstract: VR(Voltage Regulation:电压调节)电路在金融卡系统中担负着为逻辑电路提供电源的功能，不仅需要具有低电源工作、稳定性好、负载响应速度快等性能外，还承担抗外部电源攻击和干扰的责任。本发明提供了一种基于Charge Pump的VR设计，它既能够很好的利用NMOS作为PASS管的速度快，稳定性好、抗电源干扰能力强等优点，又能够减小芯片面积，大幅改善芯片性能。

公开(公告)号：CN110995233B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201911092555.2

申请日：2019-11-11

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘明磊

IPC: H03K19/003

Abstract: 由于工艺偏差，模拟信号需要进行校准和筛选，通用的校准方式将每一个模拟信号引出到测试端口，测试机通过直接探测信号信息，调整芯片内部电路进行校准。这种方式存在几个缺点，第一是被测试信号需要引到端口，容易在端口处被探测，存在安全隐患；第二是多组模拟信号进行校准需要多个测试端口，浪费面积；第三是由于测试机测试电压精度比提供电压差，会造成精度不高；第四是实现自动校准比较困难。本发明通过内部比较的测试方法，测试信号不需要引出到PAD实现高安全、只需要一个或者两个测试端口实现小面积、测试机只需要提供电源不需要读电压实现高精度、容易与逻辑配合实现自动校准。

公开(公告)号：CN117170453B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311110572.0

申请日：2023-08-30

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 柳雪晶 ,  陈艳 ,  刘明磊

IPC: G05F1/567

Abstract: 本申请提供一种参考电压产生电路及车规级芯片。该参考电压产生电路包括偏置和限压电路、PTAT电流产生电路、零温度系数参考电压产生电路和启动电路。正温度系数电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第一电阻。启动电路的输出端连接第一NMOS管的漏极。偏置和限压电路连接第一NMOS管的漏极，用于对第一NMOS管的工作电压进行限压。零温度系数参考电压产生电路包括第二电阻和三极管。PTAT电流产生电路产生的PTAT电流流经第二电阻，产生PTAT电压，再叠加三极管的基极和发射极之间的负温度系数电压后，产生零温度系数参考电压。从而，能够有效地解决MOS器件的漏电问题。

公开(公告)号：CN113315498A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110606752.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 李博文 ,  刘明磊 ,  柳雪晶

IPC: H03K17/284 ,  H03K17/22

Abstract: 本发明提出了一种高精度POR电路，主要应用于双界面智能卡。随着芯片工艺特征尺寸的持续降低，MOS器件特性变得更加不稳定，传统POR基于器件自身特性，其检测点电压同样变得精度不够，对智能卡类产品的上下电过程造成无法启动的功能风险。本发明针对双界面卡类产品，对POR高精度的检测点电压及非接模式下高精度延迟时间的需求，提出了解决方案。该方案利用了带隙基准电压产生电路(band‑gap)trimming前的输出参考电压，与VCC分压进行比较的方式产生复位信号，提高了检测点电压的精度；同时利用电阻加MOS器件做电阻，结合电容形成RC网络的方式，在需要较长延迟时间的智能卡接触模式，开启电阻和MOS器件；在需要精确且较短延迟时间的非接触模式，仅开启电阻，获得精确的延迟时间。

公开(公告)号：CN120029404A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510192182.5

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 陈艳 ,  张文静 ,  柳雪晶 ,  刘明磊

IPC: G05F1/56

Abstract: 本申请提供了一种带隙基准电路，包括：偏置电压产生单元，根据基准电流产生偏置电压；基准电压产生单元，包括具有不同的开启电压的第一支路和第二支路，第一支路接收第一电压；电流镜单元，使第一支路和第二支路上的电流大小相等；基准电压产生单元根据第一电压、第一支路和第二支路的开启电压之差，在第二支路上产生带隙基准电压。本申请方案使用N型PMOS器件的电路代替需使用多个BJT器件的电路，极大程度地减小了电路面积。

公开(公告)号：CN119200737A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411273765.2

申请日：2024-09-11

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 柳雪晶 ,  陈艳 ,  刘明磊

IPC: G05F1/567

Abstract: 公开了一种参考电压产生电路，包括用于产生偏置电流的电流偏置电路、分压电路和温度补偿电路，分压电路包括产生负温度系数电压的双极型晶体管、作为分压器件的至少两个第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，第一NMOS管级联连接在该双极型晶体管的发射极和地之间；第一PMOS管的栅极与该发射极连接，源极通过第一电阻与电源连接；第二PMOS管连接在第一个第一NMOS管的漏极与电源之间，栅极与第一PMOS管的源极连接，第二PMOS管为native器件。通过温度补偿电路的正温度系数特性电压，来补偿第一电压的负温度系数特性，从而可以输出零温度系数参考电压。该电路可以保证分压器件不超过耐压，同时处于正常工作区域，从而保证参考电压的准确性和稳定性。