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公开(公告)号：CN119182287A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411217623.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种供电电路包括：为了减少储能电容的使用，降低芯片成本，本发明电压检测电路通过检测储能电容电压以判断是否需要启动电荷泵，并采用PUMP将储能电容上的电压充到较高的电压值，存储更多的电荷量，同时降低PUMP对1‑Wire接口的噪声干扰；当需要启动电荷泵时，控制电路通过控制多个电荷泵分时启动，从而避免由于电荷泵同时启动造成功耗大、产生功耗峰值的情况。
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公开(公告)号：CN112859997B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110150549.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明为一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构，应用于对基准电压温度系数要求较高的芯片中。随着芯片制造工艺进入纳米级，但电源电压往往不能同比例下降，导致MOS器件的漏电越来越严重。但是器件漏电模型的准确建立对工艺而言较为困难，目前许多工艺的器件漏电模型都不够准确。由于漏电大小受温度影响，漏电对带隙基准参考电压的温度系数产生了不可忽视的影响。漏电模型不够准确，带隙基准电路的设计遭遇了温度系数仿真结果与实际芯片测试结果差异很大的问题。这就需要在测试过程中对，带隙基准电压的温度系数进行trim。本设计提出了一种具有offset自校准功能的，实现带隙基准电压在高温、常温、低温进行温度系数TRIM的低成本方案。
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公开(公告)号：CN117170453B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311110572.0
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请提供一种参考电压产生电路及车规级芯片。该参考电压产生电路包括偏置和限压电路、PTAT电流产生电路、零温度系数参考电压产生电路和启动电路。正温度系数电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第一电阻。启动电路的输出端连接第一NMOS管的漏极。偏置和限压电路连接第一NMOS管的漏极，用于对第一NMOS管的工作电压进行限压。零温度系数参考电压产生电路包括第二电阻和三极管。PTAT电流产生电路产生的PTAT电流流经第二电阻，产生PTAT电压，再叠加三极管的基极和发射极之间的负温度系数电压后，产生零温度系数参考电压。从而，能够有效地解决MOS器件的漏电问题。
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公开(公告)号：CN113315498A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110606752.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03K17/284 , H03K17/22
Abstract: 本发明提出了一种高精度POR电路，主要应用于双界面智能卡。随着芯片工艺特征尺寸的持续降低，MOS器件特性变得更加不稳定，传统POR基于器件自身特性，其检测点电压同样变得精度不够，对智能卡类产品的上下电过程造成无法启动的功能风险。本发明针对双界面卡类产品，对POR高精度的检测点电压及非接模式下高精度延迟时间的需求，提出了解决方案。该方案利用了带隙基准电压产生电路(band‑gap)trimming前的输出参考电压，与VCC分压进行比较的方式产生复位信号，提高了检测点电压的精度；同时利用电阻加MOS器件做电阻，结合电容形成RC网络的方式，在需要较长延迟时间的智能卡接触模式，开启电阻和MOS器件；在需要精确且较短延迟时间的非接触模式，仅开启电阻，获得精确的延迟时间。
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公开(公告)号：CN117170453A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311110572.0
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请提供一种参考电压产生电路及车规级芯片。该参考电压产生电路包括偏置和限压电路、PTAT电流产生电路、零温度系数参考电压产生电路和启动电路。正温度系数电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第一电阻。启动电路的输出端连接第一NMOS管的漏极。偏置和限压电路连接第一NMOS管的漏极，用于对第一NMOS管的工作电压进行限压。零温度系数参考电压产生电路包括第二电阻和三极管。PTAT电流产生电路产生的PTAT电流流经第二电阻，产生PTAT电压，再叠加三极管的基极和发射极之间的负温度系数电压后，产生零温度系数参考电压。从而，能够有效地解决MOS器件的漏电问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113315498B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110606752.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03K17/284 , H03K17/22
Abstract: 本发明提出了一种高精度POR电路，主要应用于双界面智能卡。随着芯片工艺特征尺寸的持续降低，MOS器件特性变得更加不稳定，传统POR基于器件自身特性，其检测点电压同样变得精度不够，对智能卡类产品的上下电过程造成无法启动的功能风险。本发明针对双界面卡类产品，对POR高精度的检测点电压及非接模式下高精度延迟时间的需求，提出了解决方案。该方案利用了带隙基准电压产生电路(band‑gap)trimming前的输出参考电压，与VCC分压进行比较的方式产生复位信号，提高了检测点电压的精度；同时利用电阻加MOS器件做电阻，结合电容形成RC网络的方式，在需要较长延迟时间的智能卡接触模式，开启电阻和MOS器件；在需要精确且较短延迟时间的非接触模式，仅开启电阻，获得精确的延迟时间。
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公开(公告)号：CN113945828A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111212953.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/28 , G01R35/00 , G01R19/165
Abstract: 本发明为一种具有失调校准的低成本模拟测试电路，实现了模拟信号的高度自动化测量，可广泛应用于模拟电路中的直流电压电流的测量与筛选。在IC行业激烈竞争的今天，测试资源非常紧缺，降低测试时间，尽可能减少测试资源的占用，对降低芯片成本具有重要意义。在相同测试成本下，也可通过投入更多测试项，利用丰富的测试手段解决电路设计中难以解决的问题成为可能。本设计实现了片内高度自动化测试，在使用很少的测试资源基础上，可以快速且高精度的完成多项测试。设计仅使用一个测试PAD实现多信号的测试，既减少了PAD面积和封装成本，也防止芯片内部信号直接输出到PAD，提高芯片的安全性。另外，设计具有失调校准功能，以提高测试精度。
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公开(公告)号：CN113157035A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110268733.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提出了一种静态功耗与驱动能力自适应的稳压源装置，该装置可以在大负载应用时提高驱动能力，在轻载或空载时有效降低LDO的静态功耗。LDO的功率管PM0的栅极VGATE与一个采样管PM1栅极连接，可以得到采样电流Isense与基准电流IREF0进行比较，得到模式控制信号VCTRL对功率管的衬底电压Vbulk进行配置，从而调整PM0的衬底电压，在大负载时，降低PM0阈值，提高驱动能力；在轻载或空载时，增大PM0阈值，降低LDO的静态功耗。
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公开(公告)号：CN120029404A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510192182.5
申请日：2025-02-20
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本申请提供了一种带隙基准电路，包括：偏置电压产生单元，根据基准电流产生偏置电压；基准电压产生单元，包括具有不同的开启电压的第一支路和第二支路，第一支路接收第一电压；电流镜单元，使第一支路和第二支路上的电流大小相等；基准电压产生单元根据第一电压、第一支路和第二支路的开启电压之差，在第二支路上产生带隙基准电压。本申请方案使用N型PMOS器件的电路代替需使用多个BJT器件的电路，极大程度地减小了电路面积。
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公开(公告)号：CN119200737A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411273765.2
申请日：2024-09-11
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 公开了一种参考电压产生电路，包括用于产生偏置电流的电流偏置电路、分压电路和温度补偿电路，分压电路包括产生负温度系数电压的双极型晶体管、作为分压器件的至少两个第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，第一NMOS管级联连接在该双极型晶体管的发射极和地之间；第一PMOS管的栅极与该发射极连接，源极通过第一电阻与电源连接；第二PMOS管连接在第一个第一NMOS管的漏极与电源之间，栅极与第一PMOS管的源极连接，第二PMOS管为native器件。通过温度补偿电路的正温度系数特性电压，来补偿第一电压的负温度系数特性，从而可以输出零温度系数参考电压。该电路可以保证分压器件不超过耐压，同时处于正常工作区域，从而保证参考电压的准确性和稳定性。
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