公开(公告)号：CN114157284A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111392690.6

申请日：2021-11-23

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 史立轺 ,  王小曼 ,  陈艳 ,  张昱桐

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种电平转换电路，适用于电路中的低压信号转换为高压信号，该电路可以在实现电平转换的同时，电平由低至高和由高至低的转换阈值不同，从而克服来自外界的干扰。此功能可以作为配置位进行选择，需要此功能时打开配置位，不需要此功能时关闭，电平转换电路可以工作在传统模式。

公开(公告)号：CN217282906U

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202122885450.1

申请日：2021-11-23

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 史立轺 ,  王小曼 ,  陈艳 ,  张昱桐

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 本实用新型公开了一种抗干扰电平转换电路，适用于电路中的低压信号转换为高压信号，包括P型MOS管PM1、PM2、N型MOS管NM1、NM2、NM3、NM4和两个输入端反相器。PM1和PM2的源端连接高压域电源，漏端连接NM1、NM2的漏端和NM3、NM4的源端，栅级分别连接PM2和PM1的漏端，形成一个正反馈的latch。NM1和NM2的源极接地，栅级分别接两个反相器的输出和NM3、NM4的漏极。两个反相器串联，第一级反相器的输入为整体电平转换电路的输入，输出为PM1，PM2的漏端，CTL为NM3、NM4的栅级，控制NM3和NM4的导通。可以在实现电平转换的同时，电平由低至高和由高至低的转换阈值不同，从而克服来自外界的干扰。