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公开(公告)号：CN116486849A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310457056.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于存储器的驱动电路及存储器，所述驱动电路包括：参考电压模块，根据电源电压产生参考电压并输出；镜像模块，根据所述参考电压、电源电压产生多路驱动电流；补偿控制模块，在使能信号变为有效状态开始的预设时间内根据所述使能信号产生控制信号；以及补偿模块，与所述参考电压的输出端连接，根据所述控制信号调节所述输出端处的电流，以调节所述参考电压。本申请提供的用于存储器的驱动电路及存储器，可以降低使能信号切换时参考电压受到的波动干扰和减少参考电压恢复到目标值的时间，进而提高读取数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN116758963B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310815581.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，所述写电压驱动电路包括：写电压产生模块，用于产生写电压；开关模块，根据第二控制信号和第三控制信号将所述写电压提供至所述存储电路；补偿模块，在第一控制信号变为无效状态开始的预设时间内，根据所述第一控制信号产生补偿电流，以下拉所述写电压。本申请提供的用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，可以降低控制信号切换时写电压不必要的高压状态，从而减少非目标存储单元的编程干扰。
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公开(公告)号：CN117012253A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310917497.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于存储器的读取电路及存储器，所述读取电路包括：第一比较器，所述第一比较器的第一输入端与存储单元的位线连接以接收位线电流，所述第一比较器的第二输入端接收参考电流；补偿模块，用于对所述参考电流进行补偿，和/或对所述存储单元的字线电压进行补偿，从而随温度升高而增大所述位线电流和所述参考电流之间的差值。本申请提供的存储器的读取电路及存储器，通过在读取电路中增加补偿模块，以随温度增高而对位线电流和/或参考电流进行补偿，从而减小所述位线电流与所述参考电流的差值与温度的相关性，从而增加高温时读操作的窗口，进而提高存储器高温下的读可靠性。
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公开(公告)号：CN116758963A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310815581.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，所述写电压驱动电路包括：写电压产生模块，用于产生写电压；开关模块，根据第二控制信号和第三控制信号将所述写电压提供至所述存储电路；补偿模块，在第一控制信号变为无效状态开始的预设时间内，根据所述第一控制信号产生补偿电流，以下拉所述写电压。本申请提供的用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，可以降低控制信号切换时写电压不必要的高压状态，从而减少非目标存储单元的编程干扰。
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