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公开(公告)号：CN1849700A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026098.2
申请日：2004-09-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种多层基板的洗涤方法，在多层基板最表层的SiGe(硅锗)层表面形成保护膜，然后，通过能够蚀刻该保护膜的洗涤液以残有保护膜的方式来洗涤多层基板；一种贴合晶片的贴合方法，使经该洗涤方法洗涤过的多层基板的最表层与其它基板的表面贴合而成；以及，一种贴合晶片的制造方法，在单晶硅结合晶片的表面依顺序形成Si1－XGeX层、保护层，并通过保护层注入离子而形成离子注入层，洗涤结合晶片，使保护层表面黏着基体晶片，从离子注入层处进行剥离，在该因剥离而移至基片晶片侧的剥离层的表面形成热氧化膜，去除该热氧化膜而使浓缩硅锗层露出，并在该浓缩硅锗层的表面生长外延而成。借此，提供一种能够防止多层基板最表层的硅锗层面粗糙的洗涤方法及贴合方法，以及提供一种贴合晶片的制造方法，其能够防止伴随离子注入所引起的贴合不良。
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公开(公告)号：CN100418194C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200480003455.3
申请日：2004-02-13
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L21/26533
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。
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公开(公告)号：CN100508125C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200580032510.6
申请日：2005-09-16
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B33/06 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02694
Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片的制造方法，其包含：至少在SOI晶片上，先磊晶成长Si1-XGeX层(0＜X＜1)，然后在该已经磊晶成长后的Si1-XGeX层上，形成Si1-YGeY层(0≤Y＜X)后，通过氧化热处理，浓缩上述磊晶成长后的Si1-XGeX层的Ge，而作成浓缩SiGe层的步骤；上述氧化热处理，至少是在氧化性气氛下，从950℃以下开始，在升温至950℃的期间，以使上述形成的Si1-YGeY层残存的方式，使Si1-YGeY层氧化。藉此，利用短时间的热处理，便能够充分地进行SGOI晶片的SiGe层的晶格弛豫，而能够提供一种能够降低制造成本的半导体晶片的制造方法。
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公开(公告)号：CN1748312A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003455.3
申请日：2004-02-13
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L21/26533
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。
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公开(公告)号：CN103430278B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280008465.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L24/26 , H01L2224/83 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103430278A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280008465.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L24/26 , H01L2224/83 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102017069B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980116228.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/304 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02008 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。
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公开(公告)号：CN102017069A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116228.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/304 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02008 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。
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公开(公告)号：CN100550312C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480026098.2
申请日：2004-09-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种多层基板的洗涤方法，在多层基板最表层的SiGe(硅锗)层表面形成保护膜，然后，通过能够蚀刻该保护膜的洗涤液以残有保护膜的方式来洗涤多层基板；一种贴合晶片的贴合方法，使经该洗涤方法洗涤过的多层基板的最表层与其它基板的表面贴合而成；以及，一种贴合晶片的制造方法，在单晶硅结合晶片的表面依顺序形成Si1-XGeX层、保护层，并通过保护层注入离子而形成离子注入层，洗涤结合晶片，使保护层表面黏着基体晶片，从离子注入层处进行剥离，在该因剥离而移至基片晶片侧的剥离层的表面形成热氧化膜，去除该热氧化膜而使浓缩硅锗层露出，并在该浓缩硅锗层的表面生长外延而成。借此，提供一种能够防止多层基板最表层的硅锗层面粗糙的洗涤方法及贴合方法，以及提供一种贴合晶片的制造方法，其能够防止伴随离子注入所引起的贴合不良。
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公开(公告)号：CN101027755A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032510.6
申请日：2005-09-16
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B33/06 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02694
Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片的制造方法，其包含：至少在SOI晶片上，先磊晶成长Si1－XGeX层(0＜X＜1＝，然后在该已经磊晶成长后的Si1－XGeX层上，形成Si1－YGeY层(0≤Y＜X)后，通过氧化热处理，浓缩上述磊晶成长后的Si1－XGeX层的Ge，而作成浓缩SiGe层的步骤；上述氧化热处理，至少是在氧化性气氛下，从950℃以下开始，在升温至950℃的期间，以使上述形成的Si1－YGeY层残存的方式，使Si1－YGeY层氧化。藉此，利用短时间的热处理，便能够充分地进行SGOI晶片的SiGe层的晶格弛豫，而能够提供一种能够降低制造成本的半导体晶片的制造方法。
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