公开(公告)号：CN103328696A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006313.7

申请日：2012-01-06

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜 ,  杉泽修

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，其中，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×1013～1×1014atoms/cm3。由此，提供一种单晶硅晶片的制造方法，其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片，消除主体中的缺陷，并且即使不进行中子照射，面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平，由此，制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。

公开(公告)号：CN103328696B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201280006313.7

申请日：2012-01-06

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜 ,  杉泽修

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，其中，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×1013～1×1014atoms/cm3。由此，提供一种单晶硅晶片的制造方法，其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片，消除主体中的缺陷，并且即使不进行中子照射，面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平，由此，制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。

公开(公告)号：CN103430278B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201280008465.0

申请日：2012-01-06

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 大槻刚 ,  曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜 ,  三谷清

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/84 ,  H01L24/26 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。

公开(公告)号：CN103430278A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280008465.0

申请日：2012-01-06

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 大槻刚 ,  曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜 ,  三谷清

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/84 ,  H01L24/26 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。

公开(公告)号：CN102017069B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200980116228.4

申请日：2009-05-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 田原史夫 ,  大槻刚 ,  名古屋孝俊 ,  三谷清

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02008 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。

公开(公告)号：CN102017069A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116228.4

申请日：2009-05-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 田原史夫 ,  大槻刚 ,  名古屋孝俊 ,  三谷清

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02008 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。