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公开(公告)号：CN102017098A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114129.2
申请日：2009-03-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种硅晶片的氧化膜形成方法，是形成硅晶片的氧化膜的方法，其中：先测定硅晶片的表面粗糙度及/或硅晶片表层部的结晶性，然后根据测定值来调整硅晶片的氧化条件，并在调整后的氧化条件下，在硅晶片上形成氧化膜。由此，提供一种氧化膜形成方法，能根据氧化膜形成前的硅晶片的表面及/或表面层的状态，来调整氧化条件，由此，例如即使是极薄的氧化膜，也能精度良好地形成。
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公开(公告)号：CN102017098B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980114129.2
申请日：2009-03-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种硅晶片的氧化膜形成方法，是形成硅晶片的氧化膜的方法，其中：先测定硅晶片的表面粗糙度及/或硅晶片表层部的结晶性，然后根据测定值来调整硅晶片的氧化条件，并在调整后的氧化条件下，在硅晶片上形成氧化膜。由此，提供一种氧化膜形成方法，能根据氧化膜形成前的硅晶片的表面及/或表面层的状态，来调整氧化条件，由此，例如即使是极薄的氧化膜，也能精度良好地形成。
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公开(公告)号：CN101529592B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780039005.3
申请日：2007-10-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种半导体晶片的评价方法，至少在半导体晶片的表面上形成氧化膜，然后除去一部分的该氧化膜来实行二处的开窗，接着从该二处的窗，扩散与要进行评价的半导体的导电型相异的导电型的掺杂剂，而在上述要进行评价的半导体内形成扩散部，来形成PN结，然后在上述二个扩散部之间实行漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，来评价上述半导体晶片。由此，提供一种半导体晶片的评价方法，使用结漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，便能够简单地评价半导体晶片的内部质量。特别是提供一种方法，不仅可以评价抛光晶片、外延晶片等，也可以评价绝缘层上覆硅(SOI)晶片的SOI层的内部。
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公开(公告)号：CN117940621A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062298.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种异质外延晶圆的制造方法，在硅单晶基板上异质外延生长3C‑SiC单晶膜，其中，该制造方法使用低压CVD装置，并包含以下步骤：第一步骤，利用氢烘烤去除前述硅单晶基板的表面的自然氧化膜；第二步骤，一边对前述低压CVD装置内供给包含碳和硅的来源气体，一边以压力为13332Pa以下、温度为300℃以上且950℃以下的条件在前述硅单晶基板上形成SiC的核；及，第三步骤，以压力为13332Pa以下、温度为800℃以上且低于1200℃的条件生长SiC单晶，来形成前述3C‑SiC单晶膜。借此，提供一种异质外延晶圆的制造方法，其能够在硅单晶基板上有效率地异质外延生长优质的3C‑SiC单晶膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103430278B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280008465.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L24/26 , H01L2224/83 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103430278A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280008465.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L24/26 , H01L2224/83 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102017069B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980116228.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/304 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02008 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。
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公开(公告)号：CN102017069A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116228.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/304 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02008 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。
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公开(公告)号：CN101529592A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039005.3
申请日：2007-10-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种半导体晶片的评价方法，至少在半导体晶片的表面上形成氧化膜，然后除去一部分的该氧化膜来实行二处的开窗，接着从该二处的窗，扩散与要进行评价的半导体的导电型相异的导电型的掺杂剂，而在上述要进行评价的半导体内形成扩散部，来形成PN结，然后在上述二个扩散部之间实行漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，来评价上述半导体晶片。由此，提供一种半导体晶片的评价方法，使用结漏泄电流测定及/或深能级瞬态谱测定，便能够简单地评价半导体晶片的内部质量。特别是提供一种方法，不仅可以评价抛光晶片、外延晶片等，也可以评价绝缘层上覆硅(SOI)晶片的SOI层的内部。
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