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公开(公告)号：CN103328696B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280006313.7
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，其中，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×1013～1×1014atoms/cm3。由此，提供一种单晶硅晶片的制造方法，其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片，消除主体中的缺陷，并且即使不进行中子照射，面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平，由此，制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。
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公开(公告)号：CN103328696A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280006313.7
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，其中，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×1013～1×1014atoms/cm3。由此，提供一种单晶硅晶片的制造方法，其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片，消除主体中的缺陷，并且即使不进行中子照射，面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平，由此，制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。
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公开(公告)号：CN103430278B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280008465.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L24/26 , H01L2224/83 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103430278A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280008465.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L24/26 , H01L2224/83 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
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