公开(公告)号：CN103299395B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180061352.2

申请日：2011-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  冈哲史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。

公开(公告)号：CN101689478B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880021034.1

申请日：2008-05-27

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，针对在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层的整个面上，形成硅外延层的步骤(f)，其特征在于：将氯化氢气体混入反应气体中。借此，提供一种SOI芯片的制造方法，能简单地在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层上，使硅外延层成长，并能抑制制造出来的SOI芯片发生翘曲；又，即便是在元件制造等的这类的后续步骤中，也能降低微粒的发生，进而能谋求削减制造SOI芯片的成本。

公开(公告)号：CN1849700A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026098.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  三谷清

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种多层基板的洗涤方法，在多层基板最表层的SiGe(硅锗)层表面形成保护膜，然后，通过能够蚀刻该保护膜的洗涤液以残有保护膜的方式来洗涤多层基板；一种贴合晶片的贴合方法，使经该洗涤方法洗涤过的多层基板的最表层与其它基板的表面贴合而成；以及，一种贴合晶片的制造方法，在单晶硅结合晶片的表面依顺序形成Si1－XGeX层、保护层，并通过保护层注入离子而形成离子注入层，洗涤结合晶片，使保护层表面黏着基体晶片，从离子注入层处进行剥离，在该因剥离而移至基片晶片侧的剥离层的表面形成热氧化膜，去除该热氧化膜而使浓缩硅锗层露出，并在该浓缩硅锗层的表面生长外延而成。借此，提供一种能够防止多层基板最表层的硅锗层面粗糙的洗涤方法及贴合方法，以及提供一种贴合晶片的制造方法，其能够防止伴随离子注入所引起的贴合不良。

公开(公告)号：CN100418194C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200480003455.3

申请日：2004-02-13

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  高野清隆 ,  三谷清

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/26533

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。

公开(公告)号：CN101730925A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200880014803.5

申请日：2008-04-25

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  能登宣彦 ,  山口进一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的硅氧化膜形成方法，是至少对在背面具有氧化膜的SOI晶片施行热氧化处理(工艺(A))，并于热氧化处理后，更以比热氧化处理的温度更高温的非氧化性气氛，来施行热处理(工艺(B))，而在SOI层的表面形成硅氧化膜的SOI晶片的硅氧化膜形成方法。借此能够提供一种SOI晶片的硅氧化膜形成方法，即便使用在背面具有厚氧化膜的SOI晶片，并且在SOI层侧的表面通过热氧化形成元件形成用的硅氧化膜，在热氧化处理后，也能够抑制SOI晶片产生翘曲，能够降低因SOI晶片的翘曲所引起的曝光不良或吸附不良，从而能够提高元件制造的产率。

公开(公告)号：CN101124657B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200580048490.1

申请日：2005-11-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 武井时男 ,  吉泽重幸 ,  宫崎进 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101681805A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880016916.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  竹野博 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/223 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，其特征在于包含：准备一由p + 单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由含有较低浓度的掺杂剂的单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；根据热氧化，在基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；隔着硅氧化膜，将接合芯片与基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及将接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；其中，在基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。从而，可提供一种SOI芯片的制造方法，能简便地防止由于高温热处理，已含在基底芯片中的p型掺杂剂，从基底芯片的贴合面的相反侧的面，往外方扩散，并能抑制掺杂剂混入SOI层中，且可减少翘曲。

公开(公告)号：CN101681805B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200880016916.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  竹野博 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/223 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，其特征在于包含：准备一由p+单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由含有较低浓度的掺杂剂的单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；根据热氧化，在基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；隔着硅氧化膜，将接合芯片与基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及将接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；其中，在基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。从而，可提供一种SOI芯片的制造方法，能简便地防止由于高温热处理，已含在基底芯片中的p型掺杂剂，从基底芯片的贴合面的相反侧的面，往外方扩散，并能抑制掺杂剂混入SOI层中，且可减少翘曲。

公开(公告)号：CN101689478A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021034.1

申请日：2008-05-27

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，针对在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层的整个面上，形成硅外延层的步骤(f)，其特征在于：将氯化氢气体混入反应气体中。借此，提供一种SOI芯片的制造方法，能简单地在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层上，使硅外延层成长，并能抑制制造出来的SOI芯片发生翘曲；又，即便是在元件制造等的这类的后续步骤中，也能降低微粒的发生，进而能谋求削减制造SOI芯片的成本。

公开(公告)号：CN100550312C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200480026098.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  三谷清

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种多层基板的洗涤方法，在多层基板最表层的SiGe(硅锗)层表面形成保护膜，然后，通过能够蚀刻该保护膜的洗涤液以残有保护膜的方式来洗涤多层基板；一种贴合晶片的贴合方法，使经该洗涤方法洗涤过的多层基板的最表层与其它基板的表面贴合而成；以及，一种贴合晶片的制造方法，在单晶硅结合晶片的表面依顺序形成Si1-XGeX层、保护层，并通过保护层注入离子而形成离子注入层，洗涤结合晶片，使保护层表面黏着基体晶片，从离子注入层处进行剥离，在该因剥离而移至基片晶片侧的剥离层的表面形成热氧化膜，去除该热氧化膜而使浓缩硅锗层露出，并在该浓缩硅锗层的表面生长外延而成。借此，提供一种能够防止多层基板最表层的硅锗层面粗糙的洗涤方法及贴合方法，以及提供一种贴合晶片的制造方法，其能够防止伴随离子注入所引起的贴合不良。