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公开(公告)号：CN101681805A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880016916.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/223 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，其特征在于包含：准备一由p + 单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由含有较低浓度的掺杂剂的单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；根据热氧化，在基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；隔着硅氧化膜，将接合芯片与基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及将接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；其中，在基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。从而，可提供一种SOI芯片的制造方法，能简便地防止由于高温热处理，已含在基底芯片中的p型掺杂剂，从基底芯片的贴合面的相反侧的面，往外方扩散，并能抑制掺杂剂混入SOI层中，且可减少翘曲。
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公开(公告)号：CN101432849B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200780014883.X
申请日：2007-04-16
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/26506
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，针对至少具备热处理将基体晶片和接合晶片贴合而成的贴合晶片，来提高结合强度的热处理工序的形态的SOI晶片的制造方法，其中至少具备离子注入工序，此工序是在上述贴合工序之前，将掺杂量设为1×1015atoms/cm2以上，从上述基体晶片或上述接合晶片的任一方的表面，离子注入氩；在上述贴合工序中，是将上述已进行氩离子注入后的面作为贴合面，并将至上述结合热处理的处理温度为止的升温速度，设为5℃/分钟以上。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，此方法能以简单、低成本且有效率地制造SOI晶片，此SOI晶片是在埋入绝缘层附近，导入均匀厚度的多晶硅层，对于SOI层的金属污染，具有高吸杂能力。
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公开(公告)号：CN101432849A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780014883.X
申请日：2007-04-16
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/26506
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，针对至少具备热处理将基体晶片和接合晶片贴合而成的贴合晶片，来提高结合强度的热处理工序的形态的SOI晶片的制造方法，其中至少具备离子注入工序，此工序是在上述贴合工序之前，将掺杂量设为1×1015atoms/cm2以上，从上述基体晶片或上述接合晶片的任一方的表面，离子注入氩；在上述贴合工序中，是将上述已进行氩离子注入后的面作为贴合面，并将至上述结合热处理的处理温度为止的升温速度，设为5℃/分钟以上。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，此方法能以简单、低成本且有效率地制造SOI晶片，此SOI晶片是在埋入绝缘层附近，导入均匀厚度的多晶硅层，对于SOI层的金属污染，具有高吸杂能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101341577B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200680047873.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/3226 , H01L29/78603
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，其是通过贴合法来制造SOI基板的方法，其特征为：至少于成为SOI层的单晶硅基板与成为支持基板的单晶硅基板的任一方的表面，制作硅氧化膜，然后隔着该硅氧化膜，贴合上述成为SOI层的单晶硅基板与上述成为支持基板的单晶硅基板后，在进行提高结合强度的结合热处理的情况，进行保持于至少950℃至1100℃的范围的温度的热处理之后，进行高于1100℃的温度的热处理。由此，提供一种SOI基板的制造方法以及SOI基板，该制造方法可有效率地制造出对于SOI层的金属污染，具有优良的除气能力的SOI基板。
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公开(公告)号：CN101427347A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014472.0
申请日：2007-04-23
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/322
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/26506 , H01L21/26533 , H01L21/3226
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其至少具备从基体晶片或接合晶片的任一方的表面，离子注入在硅中为非电活性的中性元素而形成离子注入损伤层的工序，上述离子注入损伤层形成工序中的中性元素的离子注入，是将掺杂量设为1×1012atoms/cm2以上而未满1×1015atoms/cm2来进行。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，可抑制漏泄电流的发生、氧化膜耐压恶化等，并具有充分的吸杂能力。
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公开(公告)号：CN101427347B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780014472.0
申请日：2007-04-23
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/322
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/26506 , H01L21/26533 , H01L21/3226
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其至少具备从基体晶片或接合晶片的任一方的表面，离子注入在硅中为非电活性的中性元素而形成离子注入损伤层的工序，上述离子注入损伤层形成工序中的中性元素的离子注入，是将掺杂量设为1×1012atoms/cm2以上而未满1×1015atoms/cm2来进行。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，可抑制漏泄电流的发生、氧化膜耐压恶化等，并具有充分的吸杂能力。
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公开(公告)号：CN101681805B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200880016916.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/223 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，其特征在于包含：准备一由p+单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由含有较低浓度的掺杂剂的单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；根据热氧化，在基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；隔着硅氧化膜，将接合芯片与基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及将接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；其中，在基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。从而，可提供一种SOI芯片的制造方法，能简便地防止由于高温热处理，已含在基底芯片中的p型掺杂剂，从基底芯片的贴合面的相反侧的面，往外方扩散，并能抑制掺杂剂混入SOI层中，且可减少翘曲。
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公开(公告)号：CN101341577A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200680047873.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/3226 , H01L29/78603
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，其是通过贴合法来制造SOI基板的方法，其特征为：至少于成为SOI层的单晶硅基板与成为支持基板的单晶硅基板的任一方的表面，制作硅氧化膜，然后隔着该硅氧化膜，贴合上述成为SOI层的单晶硅基板与上述成为支持基板的单晶硅基板后，在进行提高结合强度的结合热处理的情况，进行保持于至少950℃至1100℃的范围的温度的热处理之后，进行高于1100℃的温度的热处理。由此，提供一种SOI基板的制造方法以及SOI基板，该制造方法可有效率地制造出对于SOI层的金属污染，具有优良的除气能力的SOI基板。
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