公开(公告)号：CN102652347A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056111.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  阿贺浩司 ,  加藤正弘 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。

公开(公告)号：CN101496142A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780027926.8

申请日：2007-07-04

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0251 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，其至少具备：在单晶硅基板上，形成硅锗组成渐变层的工序；在硅锗组成渐变层上，形成硅锗组成固定层的工序；平坦化该硅锗组成固定层的表面的工序；除去该平坦化后的硅锗组成固定层表面上的自然氧化膜的工序；以及在已除去该表面的自然氧化膜的硅锗组成固定层上，形成应变硅层的工序，其特征在于：上述硅锗组成渐变层的形成与上述硅锗组成固定层的形成，是在高于800℃的温度T1进行；上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在还原性气体环境下，于800℃以上且低于上述温度T1的温度T2，通过热处理而进行；并且上述应变硅层的形成，是在低于温度T1的温度T3进行。由此，可于平坦化的硅锗层上，使该硅锗层表面的平坦性不会恶化，磊晶生长应变硅层。

公开(公告)号：CN103299395A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180061352.2

申请日：2011-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  冈哲史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。

公开(公告)号：CN102119435A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131333.5

申请日：2009-07-29

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  桑原登

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，在该SOI芯片的BOX层上具有SOI层，在该SOI层上，使外延层成长而将SOI层增厚，其中，使用SOI芯片来使外延成长，该使所述外延层成长的SOI芯片的在800～1300纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为20％以上40％以下。由此，能提供一种高质量的SOI芯片及其制造方法，该SOI芯片的生产性良好、低成本、滑移位错等较少，且该SOI芯片是使外延层成长而将SOI层增厚而成的。

公开(公告)号：CN103299395B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180061352.2

申请日：2011-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  冈哲史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。

公开(公告)号：CN101558474B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200780046521.9

申请日：2007-11-29

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明是提供一种应变硅基板的制造方法，是至少在硅单晶基板上，先形成晶格弛豫的硅锗层，并通过化学机械研磨将该硅锗层的表面平坦化，而在该平坦化后的硅锗层的表面上形成应变硅层的应变硅基板的制造方法，其特征在于：在上述平坦化后的晶格弛豫硅锗层的表面上，形成应变硅层之前，SC1洗净该硅锗层的表面，并在800℃以上的含氢环境中，热处理具有上述SC1洗净后的硅锗层的上述基板，且在该热处理后未降温至低于800℃的温度而是立刻在上述热处理过后的基板上的硅锗层表面，形成保护硅层，并以比该保护硅层的形成温度低的温度，在该保护硅层的表面上形成应变硅层。由此，提供一种应变硅基板的制造方法，该应变硅基板的制造方法，能够制造出一种表面粗糙度、贯穿位错密度及微粒程度低的应变硅基板。

公开(公告)号：CN101496142B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200780027926.8

申请日：2007-07-04

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0251 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，其至少具备：在单晶硅基板上，形成硅锗组成渐变层的工序；在硅锗组成渐变层上，形成硅锗组成固定层的工序；平坦化该硅锗组成固定层的表面的工序；除去该平坦化后的硅锗组成固定层表面上的自然氧化膜的工序；以及在已除去该表面的自然氧化膜的硅锗组成固定层上，形成应变硅层的工序，其特征在于：上述硅锗组成渐变层的形成与上述硅锗组成固定层的形成，是在高于800℃的温度T1进行；上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在还原性气体环境下，于800℃以上且低于上述温度T1的温度T2，通过热处理而进行；并且上述应变硅层的形成，是在低于温度T1的温度T3进行。由此，可于平坦化的硅锗层上，使该硅锗层表面的平坦性不会恶化，磊晶生长应变硅层。

公开(公告)号：CN102652347B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080056111.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  阿贺浩司 ,  加藤正弘 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。

公开(公告)号：CN102859649B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201180017235.6

申请日：2011-03-01

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 加藤正弘 ,  冈哲史 ,  小林德弘 ,  石塚徹 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。

公开(公告)号：CN102119435B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200980131333.5

申请日：2009-07-29

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  桑原登

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，在该SOI芯片的BOX层上具有SOI层，在该SOI层上，使外延层成长而将SOI层增厚，其中，使用SOI芯片来使外延成长，该使所述外延层成长的SOI芯片的在800～1300纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为20％以上40％以下。由此，能提供一种高质量的SOI芯片及其制造方法，该SOI芯片的生产性良好、低成本、滑移位错等较少，且该SOI芯片是使外延层成长而将SOI层增厚而成的。