公开(公告)号：CN102652347A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056111.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  阿贺浩司 ,  加藤正弘 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。

公开(公告)号：CN102652347B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080056111.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  阿贺浩司 ,  加藤正弘 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。

公开(公告)号：CN102859649B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201180017235.6

申请日：2011-03-01

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 加藤正弘 ,  冈哲史 ,  小林德弘 ,  石塚徹 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。

公开(公告)号：CN102859649A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180017235.6

申请日：2011-03-01

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 加藤正弘 ,  冈哲史 ,  小林德弘 ,  石塚徹 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。