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公开(公告)号：CN104364880B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201380026585.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其具有以下工序：于至少整个基底晶片的表面上形成绝缘膜，对于以离子注入层为界来剥离接合晶片之前的贴合晶片，一边保护背面的绝缘膜，所述背面位于基底晶片的贴合面的相反侧，一边使该贴合晶片接触可溶解绝缘膜的液体、或暴露于可溶解绝缘膜的气体中，由此，自贴合晶片的外周端向中心方向，蚀刻位于接合晶片与基底晶片之间的绝缘膜。由此，可提供一种SOI晶片的制造方法，当在基底晶片上形成绝缘膜并进行贴合时，可控制平台宽度，防止SOI岛的发生，同时可抑制SOI晶片的翘曲。
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公开(公告)号：CN102859649B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180017235.6
申请日：2011-03-01
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。
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公开(公告)号：CN104246971A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021381.5
申请日：2013-04-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 石塚徹
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01J37/32412 , H01L21/02043 , H01L21/306 , H01L21/6875 , H01L21/02052
Abstract: 本发明为一种贴合晶片的制造方法，其特征在于，在贴合工序之前，具有对结合晶片和基体晶片中的至少一者的贴合面进行等离子体活化处理的工序，在前述等离子体活化处理工序中，一边使前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的背面以点接触或线接触的状态载置于载台上，一边进行前述等离子体活化处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，所述方法在进行等离子体活化处理时，可以抑制微粒等附着物在晶片背面上增加，尤其在利用分批式清洗机来清洗等离子体活化处理后的晶片时，可以防止附着物再附着于晶片的贴合面。
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公开(公告)号：CN102859649A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017235.6
申请日：2011-03-01
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。
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公开(公告)号：CN102246264A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149263.6
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/78603
Abstract: 本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104364880A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380026585.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其具有以下工序：于至少整个基底晶片的表面上形成绝缘膜，对于以离子注入层为界来剥离接合晶片之前的贴合晶片，一边保护背面的绝缘膜，所述背面位于基底晶片的贴合面的相反侧，一边使该贴合晶片接触可溶解绝缘膜的液体、或暴露于可溶解绝缘膜的气体中，由此，自贴合晶片的外周端向中心方向，蚀刻位于接合晶片与基底晶片之间的绝缘膜。由此，可提供一种SOI晶片的制造方法，当在基底晶片上形成绝缘膜并进行贴合时，可控制平台宽度，防止SOI岛的发生，同时可抑制SOI晶片的翘曲。
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公开(公告)号：CN101960558B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980107575.0
申请日：2009-02-17
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少从结合晶片的表面，离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，而在晶片内部形成离子注入层，然后在将结合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面，直接贴合或是隔着绝缘膜贴合后，以离子注入层为界，使结合晶片剥离，来制作贴合晶片，其中，根据对结合晶片和基底晶片的至少其中一方的贴合面施行等离子体处理，使氧化膜成长，而在对成长后的氧化膜实行蚀刻处理后，与另一方的晶片贴合。由此，当直接贴合或是隔着绝缘膜贴合时，通过减少贴合面的微粒且牢固地进行贴合，便能防止在贴合晶片的薄膜中发生缺陷。
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公开(公告)号：CN104246971B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201380021381.5
申请日：2013-04-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 石塚徹
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01J37/32412 , H01L21/02043 , H01L21/306 , H01L21/6875
Abstract: 本发明为一种贴合晶片的制造方法，其特征在于，在贴合工序之前，具有对结合晶片和基体晶片中的至少一者的贴合面进行等离子体活化处理的工序，在前述等离子体活化处理工序中，一边使前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的背面以点接触或线接触的状态载置于载台上，一边进行前述等离子体活化处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，所述方法在进行等离子体活化处理时，可以抑制微粒等附着物在晶片背面上增加，尤其在利用分批式清洗机来清洗等离子体活化处理后的晶片时，可以防止附着物再附着于晶片的贴合面。
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公开(公告)号：CN102224568B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200980147233.1
申请日：2009-10-14
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，包括：在结合晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化膜使结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行预退火。由此，提供一种高品质贴合晶片的制造方法，在采用智能剥离法(注册商标)制作贴合晶片时，在比剥离产生温度低的温度下，形成贴合强度高的状态，而制造出以减少缺陷为中心的高品质贴合晶片。
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公开(公告)号：CN102246264B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980149263.6
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/78603
Abstract: 本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
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