公开(公告)号：CN101124657A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580048490.1

申请日：2005-11-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 武井时男 ,  吉泽重幸 ,  宫崎进 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN100533660C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200680018967.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 宫崎进 ,  武井时男 ,  冈部启一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，是至少在作为单晶硅晶片的接合晶片和基底晶片的至少一个的表面上形成氧化膜，并将接合晶片与基底晶片经由该氧化膜进行贴合，磨削该贴合的接合晶片的外周后，使用与上述氧化膜相比单晶硅的蚀刻速度大的蚀刻液进行蚀刻，除去未结合部，其后使上述接合晶片薄膜化来制造出贴合晶片的方法，其特征为：对上述外周进行磨削时，沿着接合晶片的外周磨削形成沟，并在该沟的外侧形成外缘部；通过其后的蚀刻将上述外缘部与上述接合晶片的沟部一起除去，从而于贴合晶片的外周形成露出基底晶片的露台部。以此，可以提供一种贴合晶片的制造方法，在除去贴合的接合晶片的外周时，更能减少在基底晶片的露台部发生的陷斑。

公开(公告)号：CN101124657B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200580048490.1

申请日：2005-11-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 武井时男 ,  吉泽重幸 ,  宫崎进 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101185156A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018967.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 宫崎进 ,  武井时男 ,  冈部启一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，是将至少一个接合晶片与基底晶片进行贴合，磨削该贴合的接合晶片的外周后，进行蚀刻，除去未结合部，其后使上述接合晶片薄膜化来制造出贴合晶片的方法，其特征为：对上述外周进行磨削时，沿着接合晶片的外周磨削形成沟，并在该沟的外侧形成外缘部；通过其后的蚀刻将上述外缘部与上述接合晶片的沟部一起除去，从而于贴合晶片的外周形成露出基底晶片的露台部。以此，可以提供一种贴合晶片的制造方法，于除去贴合的接合晶片的外周时，更能减少在基底晶片的露台部发生的陷斑。

公开(公告)号：CN101151713A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010786.9

申请日：2006-03-29

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈部启一 ,  立川胜一 ,  宫崎进 ,  吉泽重幸 ,  武井时男

IPC: H01L21/304 ,  B24B7/20 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B49/12 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76256 ,  H01L22/26 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种贴合晶圆的制造方法，其中通过将成为支持衬底的基底晶圆与硅单晶所构成的结合晶圆隔着绝缘膜贴合或直接贴合来形成贴合晶圆之后，将上述结合晶圆薄化，而在上述基底晶圆上形成由硅单晶构成的薄膜。上述贴合晶圆的制造方法特征在于，其中结合晶圆的薄化是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的，而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时，停止上述结合晶圆的平面磨削。因此提供了用以提供具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的贴合晶圆制造方法、贴合晶圆以及能制成具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的平面磨削装置。