公开(公告)号：CN104620355A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380046910.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒井刚 ,  稻田聪史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/10 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  G01N33/00 ,  G01N33/0036 ,  G01N2033/0095 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L22/12

Abstract: 进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁（S1）。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤（S2、S3）。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时（S4：否），再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤（S1、S2）。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后（S4：是），将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度（S5）。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关是，来评价气相成长装置的清洁度（S6）。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。

公开(公告)号：CN1618117A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827641.8

申请日：2002-11-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 ,  荒井刚 ,  秋山谦二 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4583

Abstract: 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。

公开(公告)号：CN104620355B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380046910.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒井刚 ,  稻田聪史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/10 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  G01N33/00 ,  G01N33/0036 ,  G01N2033/0095 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L22/12

Abstract: 进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁(S1)。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤(S2、S3)。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时(S4：否)，再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤(S1、S2)。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后(S4：是)，将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度(S5)。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关系，来评价气相成长装置的清洁度(S6)。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。

公开(公告)号：CN109216222A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810663483.1

申请日：2018-06-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理 ,  荒井刚

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供一种方法，其能够评价由相对晶片外表面的外延反应或蚀刻反应而产生的晶片内表面的凹凸部是因沉积反应和蚀刻反应中的哪者而产生的。准备SOI晶片（S1），测定SOI晶片的SOI层的厚度（S2）。按照SOI层朝向基座侧的方式，将SOI晶片上下翻转并放置于基座上，进行外延反应或蚀刻反应（S3，S4）。将反应后的SOI晶片上下翻转成SOI层朝向上方的状态，测定SOI层的厚度（S5，S6）。通过求出反应前后的SOI层的厚度的差，来获得晶片内表面的沉积反应与蚀刻反应的面内分布（S7）。另外，根据已获得的面内分布，求出用于使该面内分布均匀化的外延生产的工艺条件，根据该工艺条件，在制品衬底上进行外延生长。

公开(公告)号：CN109216222B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201810663483.1

申请日：2018-06-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理 ,  荒井刚

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供一种方法，其能够评价由相对晶片外表面的外延反应或蚀刻反应而产生的晶片内表面的凹凸部是因沉积反应和蚀刻反应中的哪者而产生的。准备SOI晶片（S1），测定SOI晶片的SOI层的厚度（S2）。按照SOI层朝向基座侧的方式，将SOI晶片上下翻转并放置于基座上，进行外延反应或蚀刻反应（S3，S4）。将反应后的SOI晶片上下翻转成SOI层朝向上方的状态，测定SOI层的厚度（S5，S6）。通过求出反应前后的SOI层的厚度的差，来获得晶片内表面的沉积反应与蚀刻反应的面内分布（S7）。另外，根据已获得的面内分布，求出用于使该面内分布均匀化的外延生产的工艺条件，根据该工艺条件，在制品衬底上进行外延生长。

公开(公告)号：CN100338734C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02827641.8

申请日：2002-11-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 ,  荒井刚 ,  秋山谦二 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4583

Abstract: 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。