-
公开(公告)号：CN100490075C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200480010125.7
申请日：2004-03-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/4584 , C30B25/12
Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。
-
公开(公告)号：CN100338734C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN02827641.8
申请日：2002-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4405 , C23C16/4583
Abstract: 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。
-
公开(公告)号：CN1774794A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480010125.7
申请日：2004-03-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/4584 , C30B25/12
Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。
-
公开(公告)号：CN1618117A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827641.8
申请日：2002-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4405 , C23C16/4583
Abstract: 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
