公开(公告)号：CN100338734C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02827641.8

申请日：2002-11-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 ,  荒井刚 ,  秋山谦二 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4583

Abstract: 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。

公开(公告)号：CN1618117A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827641.8

申请日：2002-11-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 ,  荒井刚 ,  秋山谦二 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4583

Abstract: 本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10)，在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的下段镗孔部(11b)的二段结构，在下段镗孔部(11b)中形成了贯通背面并在气相生长时也呈开放状态的孔部(12)。