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公开(公告)号：CN110627600B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的结构。式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110627600A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的结构。 式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110615732B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1‑1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN109388027B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN110615732A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1-1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109388027A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN112526822B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010979904.9
申请日：2020-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]#imgabs0#式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
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公开(公告)号：CN111856882B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010333047.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
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公开(公告)号：CN111208710B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111458980B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
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