公开(公告)号：CN109388027B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810864649.6

申请日：2018-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 橘诚一郎 ,  荻原勤 ,  长井洋子 ,  罗曼·J·拉勒芒 ,  卡伦·帕特里奥

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  C08G8/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。

公开(公告)号：CN109388027A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810864649.6

申请日：2018-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 橘诚一郎 ,  荻原勤 ,  长井洋子 ,  罗曼·J·拉勒芒 ,  卡伦·帕特里奥

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  C08G8/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。