公开(公告)号：CN103168361A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180020478.5

申请日：2011-06-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  和田圭司 ,  增田健良 ,  盐见弘

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种MOSFET（100），包括：碳化硅衬底（1），其包括具有相对于{0001}面不小于50°且不超过65°的偏离角的主表面（1A）；缓冲层（2）和漂移层（3），其两者均形成在主表面（1A）上；栅极氧化物膜（91），其形成在漂移层（3）上并与漂移层（3）接触；以及p导电类型的p型体区（4），其形成在漂移层（3）中以包括与栅极氧化物膜（91）接触的区域。p型体区（4）的p型杂质密度不小于5×1016cm-3。

公开(公告)号：CN102959690A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029016.X

申请日：2011-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  盐见弘 ,  玉祖秀人 ,  增田健良

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种用于制造SiC半导体器件的方法，该方法包括：在SiC衬底（1）的表面上形成氧化物膜（3）的步骤（步骤S3）；以及去除该氧化物膜（3）的步骤（步骤S5）。在用于形成氧化物膜（3）的步骤（步骤S3）中使用臭氧气体。在用于去除氧化物膜（3）的步骤（步骤S5）中，优选的是使用卤素等离子体或氢等离子体。因此，可以得到一种用于制造SiC半导体器件的方法和一种用于制造SiC半导体器件的装置，其在提高清洁效果的同时，可以减少与化学溶液相关的问题。

公开(公告)号：CN102549723A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201180004060.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  宫崎富仁 ,  日吉透 ,  伊藤里美 ,  盐见弘

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明公开了一种SiC半导体(2)的清洗方法，包括：在SiC半导体(2)的表面(2a)处形成氧化膜的步骤；和去除该氧化膜的步骤。在形成氧化膜的步骤，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。形成步骤优选地包括加热SiC半导体(2)的表面(2a)和臭氧水中的至少一个。因而，可以得到能够表现出对SiC半导体(2)的清洗效果的SiC半导体的清洗方法。

公开(公告)号：CN102859660A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180018861.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  和田圭司 ,  增田健良 ,  盐见弘

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 制备具有表面的碳化硅衬底。通过执行通过表面到碳化硅衬底中的离子注入而形成杂质区（123至125）。执行用于活化杂质区的退火。退火包括：利用具有第一波长的第一激光照射碳化硅衬底的表面的步骤，以及利用具有第二波长的第二激光照射碳化硅衬底的表面的步骤。碳化硅衬底在第一和第二波长下分别具有第一和第二消光系数，第一消光系数与第一波长的比率大于5×105/m。第二消光系数与第二波长的比率小于5×105/m。因此可以减小在激光退火期间对碳化硅衬底表面的损伤。

公开(公告)号：CN102668033A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005073.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  千田裕彦 ,  伊藤里美 ,  藤川一洋 ,  岛田茂树 ,  玄番润 ,  寺尾岳见 ,  古庄胜

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872

Abstract: 基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜，所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。

公开(公告)号：CN102473604A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002713.6

申请日：2011-02-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  玉祖秀人 ,  原田真 ,  筑野孝 ,  并川靖生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法，它们都实现了导通电阻的减小。碳化硅衬底(10)是具有主表面的碳化硅衬底(10)，并且包括：SiC单晶衬底(1)，其形成在所述主表面的至少一部分中；以及基底构件(20)，其被设置成环绕所述SiC单晶衬底(1)。所述基底构件(20)包括边界区域(11)和基底区域(12)。边界区域(11)在沿着所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且在边界区域(11)内部具有晶粒边界。基底区域(12)在垂直于所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且具有的杂质浓度高于所述SiC单晶衬底(1)的杂质浓度。

公开(公告)号：CN104520997A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201280039033.6

申请日：2012-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  岛津充

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明的MOSFET制造方法具有：制备由碳化硅构成的衬底（10）的步骤；形成与衬底（10）接触的栅极氧化物膜（20）的步骤；以及在包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中引入氮原子。在引入氮原子的步骤中，在通过将包含氮原子但不包含氧原子的氮化处理气体加热至超过1200℃的温度而形成的气氛气体中加热上面已经形成了栅极氧化物膜（20）的衬底（10），从而将氮原子引入到包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中。

公开(公告)号：CN102792446A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013622.2

申请日：2011-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大井直树 ,  盐见弘

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0465 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法包括通过借助于采用包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体的气体的蚀刻移除氧化硅膜（31）的一部分来形成氧化硅膜（31）的掩膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN102782820A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180004782.0

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  盐见弘 ,  并川靖生 ,  和田圭司 ,  岛津充 ,  日吉透

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，该方法包括：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100）的步骤，该第一表面（100a）至少部分地注入有杂质；通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体（100）的第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b）的步骤；以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）的步骤。

公开(公告)号：CN1284887C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN99100967.3

申请日：1999-01-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  西野茂弘

Inventor： 盐见弘 ,  西野茂弘

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B23/002 ,  C30B29/36 ,  Y10S117/906 ,  Y10T117/10

Abstract: 一种用于制造SiC单晶的装置，包括：一Si设置部分，其中放有固态硅；一籽晶设置部分，其中放有SiC的籽晶；一合成容器，适合于容纳Si设置部分、籽晶设置部分和碳；加热构件，适合于加热Si设置部分和籽晶设置部分；和一控制部分，用于向加热构件输送一指令，以将硅加热到硅的蒸发温度或更高，和将籽晶加热到高于Si的温度；其中，由加热构件蒸发的Si适于达到籽晶设置部分；以及在所述硅设置部分内布置的所述硅的一上表面上布置有一由碳、石英或SiC制成的屏障，它上面具有通孔，允许由所述加热构件蒸发的硅从此经过。本发明还涉及制造SiC单晶的方法。