公开(公告)号：CN102792446A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013622.2

申请日：2011-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大井直树 ,  盐见弘

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0465 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法包括通过借助于采用包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体的气体的蚀刻移除氧化硅膜（31）的一部分来形成氧化硅膜（31）的掩膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN102668049B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180005068.3

申请日：2011-08-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大井直树 ,  盐见弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 通过经由掩模层（31）中形成的第一开口进行离子注入，形成第一杂质区（123）。通过在上面已设置掩模层（31）的蚀刻停止层上沉积间隔层（32），形成具有掩模层（31）和间隔层（32）的掩模部（30）。通过对间隔层（32）进行各向异性蚀刻，在掩模部（30）中形成由第二侧壁围绕的第二开口（P2）。通过经由第二开口（P2）进行离子注入，形成第二杂质区（124）。在第二侧壁的与第二深度（D2）等高的高度（HT）内，第二侧壁相对于表面（SO）的角度（AW）为90°±10°。因此，可以提高杂质区延伸的精确度。

公开(公告)号：CN104350187A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380030120.X

申请日：2013-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  西口太郎 ,  堀勉 ,  大井直树 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。

公开(公告)号：CN102668049A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005068.3

申请日：2011-08-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大井直树 ,  盐见弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 通过经由掩模层（31）中形成的第一开口进行离子注入，形成第一杂质区（123）。通过在上面已设置掩模层（31）的蚀刻停止层上沉积间隔层（32），形成具有掩模层（31）和间隔层（32）的掩模部（30）。通过对间隔层（32）进行各向异性蚀刻，在掩模部（30）中形成由第二侧壁围绕的第二开口（P2）。通过经由第二开口（P2）进行离子注入，形成第二杂质区（124）。在第二侧壁的与第二深度（D2）等高的高度（HT）内，第二侧壁相对于表面（SO）的角度（AW）为90°±10°。因此，可以提高杂质区延伸的精确度。

公开(公告)号：CN103688342A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035492.7

申请日：2012-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大井直树

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 制备具有表面（SO）的碳化硅衬底（90）。直接在碳化硅衬底（90）的表面（SO）上形成由第一材料制成的涂覆膜（50）。在涂覆膜（50）上形成由第二材料形成的掩膜层（31）。与第二材料相比，第一材料具有与碳化硅更高的粘附性。在该掩膜层（31）中形成第一开口（P1）。借助穿过掩膜层（31）中的第一开口（P1）并且也穿过涂覆膜（50）的离子束（J1），将用于提供第一导电类型的第一杂质离子注入到碳化硅衬底（90）。