公开(公告)号：CN106165177A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201680000982.1

申请日：2016-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 隈元贵浩 ,  藤川一洋 ,  山西克也

IPC: H01M8/18 ,  H01M8/04 ,  H01M8/04537 ,  H01M8/04746 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/188 ,  H01M8/04186 ,  H01M8/0444 ,  H01M8/04753 ,  H01M8/20 ,  Y02E60/528

Abstract: 一种氧化还原液流电池系统，包括：泵，其将电解液循环供应到电池单元；泵控制单元，其控制所述泵的流量；SOC测量单元，其测量所述电解液的充电状态；以及端子电压测量单元，其测量所述电池单元的端子电压。所述泵控制单元包括：基准流量获取单元，其获取与所述电解液的充电状态对应的所述泵的基准流量；端子电压确定单元，其确定所述电池单元的端子电压是否达到预定电压范围的下限或上限；以及泵流量设置单元，其在所述端子电压没有达到所述预定电压范围的上限或下限的情况下设置所述泵的所述基准流量，并且在所述端子电压达到所述预定电压范围的上限或下限的情况下设置通过将预定流量与所述泵的所述基准流量相加而得到的流量。

公开(公告)号：CN103891136B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280052674.5

申请日：2012-10-11

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 初川聪 ,  藤川一洋 ,  筑野孝 ,  志贺信夫 ,  大平孝 ,  和田和千 ,  乌仁图雅 ,  谷村晃太郎

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/217

CPC classification number: H03K17/687 ,  H02M1/08 ,  H02M3/158 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/0222 ,  H03F3/16 ,  H03F3/217 ,  H03F3/45 ,  H03F3/55 ,  H03F3/607 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/351 ,  Y10T307/747

Abstract: 一种开关电路33包括：连接电路级联连接控制端子，该连接电路级联连接控制端子用于相应地经由n‑1数目个线圈L1来控制n数目的晶体管M1至Mn的切换，n为等于或大于2的整数；以及线圈L3，线圈L3相应地连接在晶体管M1至Mn中的每一个的一端与线圈L2的另一端之间，该线圈L2的一端电连接至DC电源。利用输入至该连接电路的输入端子的PWM信号来顺次地切换晶体管M1至Mn。开关电路33进一步包括晶体管M0，晶体管M0以级联连接插入在线圈L2的所述一端或所述另一端处。

公开(公告)号：CN103548258B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280024953.0

申请日：2012-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 初川聪 ,  志贺信夫 ,  藤川一洋 ,  大平孝 ,  和田和千 ,  鸟仁图雅 ,  石冈和也 ,  泽田和志

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/217 ,  H03K17/687

Abstract: 一实施方式的开关电路(1)包括：开关元件(10)，其含有第一端子(13)及第二端子(11)，且通过脉冲信号驱动而开关第一端子及第二端子的导通状态；电源部(30)，其对开关元件的第一端子供给电压；负载电路(40)，其与电源部并联连接；无源电路部(50)，其连接于电源部和负载电路的连接点与开关元件的第一端子之间，且在脉冲信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下，抑制从连接点流向开关元件的电流；及谐振电路部(60)，其连接于无源电路部与连接点之间，且在N倍的频率下谐振。

公开(公告)号：CN103548258A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024953.0

申请日：2012-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 初川聪 ,  志贺信夫 ,  藤川一洋 ,  大平孝 ,  和田和千 ,  鸟仁图雅 ,  石冈和也 ,  泽田和志

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/217 ,  H03K17/687

Abstract: 一实施方式的开关电路(1)包括：开关元件(10)，其含有第一端子(13)及第二端子(11)，且通过脉冲信号驱动而开关第一端子及第二端子的导通状态；电源部(30)，其对开关元件的第一端子供给电压；负载电路(40)，其与电源部并联连接；无源电路部(50)，其连接于电源部和负载电路的连接点与开关元件的第一端子之间，且在脉冲信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下，抑制从连接点流向开关元件的电流；及谐振电路部(60)，其连接于无源电路部与连接点之间，且在N倍的频率下谐振。

公开(公告)号：CN102668033A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005073.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  千田裕彦 ,  伊藤里美 ,  藤川一洋 ,  岛田茂树 ,  玄番润 ,  寺尾岳见 ,  古庄胜

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872

Abstract: 基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜，所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。

公开(公告)号：CN101663741A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880013119.5

申请日：2008-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/04 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/047 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/812

Abstract: 由六方晶系的SiC构成的衬底被制备成使得其主表面处于在该主表面和与(0001)面垂直的面之间的最小角度为一度以下的方向上，例如，在主表面和与(0001)面垂直的[0001]方向之间的最小角度为一度以下的方向上。在通过前述方法制备的衬底的一个主表面上形成横向半导体器件。因而，可以相对于其中由六方晶系的SiC构成的衬底的主表面处于沿着(0001)方向的方向上的横向半导体器件，可以显著提高击穿电压的值。

公开(公告)号：CN100470741C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200580002806.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种结型场效应晶体管(20)，包括具有沟道区的n型半导体层(1)、在沟道区上形成的缓冲层(3)，以及在缓冲层(3)上形成的p+区(4a，4b)。缓冲层(3)中的电子浓度低于半导体层(1)中的电子浓度。优选地是，使缓冲层(3)中的电子浓度不超过半导体层(1)中电子浓度的十分之一。由此，可以容易地控制阈值电压，并且可以容易地控制沟道的饱和电流密度。

公开(公告)号：CN104205608B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380018555.2

申请日：2013-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 藤川一洋 ,  初川聪 ,  志贺信夫 ,  大平孝

IPC: H02M7/5387

Abstract: 根据本发明的一个实施例的电源逆变器电路(1)是桥式电源逆变器电路，该桥式电源逆变器电路包括顺序串联连接在较高与较低电压侧的输入端子之间的第一和第二切换元件(11、12)以及顺序串联连接在较高与较低电压侧的输入端子之间的第三和第四切换元件(13、14)，该桥式电源逆变器电路把在较高和较低电压侧上的输入端子之间馈送的直流电力转换成交流电力。第一和第三切换元件(11、13)的组与第二和第四切换元件(12、14)的组中的一组在比另一组的频率更高的频率下控制切换。

公开(公告)号：CN102770949A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010116.8

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/205 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808

Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件，其具有比常规碳化硅半导体器件更低的导通电阻和更高的击穿电压。根据本发明的JFET（10）包括：n型衬底（11）、p型层（2，12）、n型层（13）、源极区（15）、漏极区（17）和栅极区（16）。n型衬底（11）由碳化硅（SiC）制成，并且具有相对于{0001}面具有不小于32°的偏离角的主表面。p型层（2，12）形成在n型衬底（11）的主表面（11A）上，并且具有p型导电性。n型层（13）形成在p型层（2，12）上，并且具有n型导电性。源极区（15）和漏极区（17）形成在n型层（13）中，其间插入有间隔，并且具有n型导电性。栅极区（16）形成在源极区（15）和漏极区（17）之间的区域上的n型层（13）中，并且具有p型导电性。

公开(公告)号：CN101647093B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880004747.7

申请日：2008-08-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法和因表面粗糙所引起的特性退化受到抑制的半导体装置，所述制造半导体装置的方法通过在热处理步骤中充分抑制晶片的表面粗糙而能够抑制因晶片表面粗糙所引起的特性退化。制造作为半导体装置的MOSFET的方法包括包括准备由碳化硅制成的晶片(3)的步骤和活化退火步骤，所述活化退火步骤通过加热所述晶片(3)来实施活化退火。在所述活化退火步骤中，在含产生自SiC片(61)的碳化硅蒸气的气氛中加热所述晶片(3)，所述SiC片(61)为不同于所述晶片(3)的发生源。