公开(公告)号：CN104520997A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201280039033.6

申请日：2012-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  岛津充

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明的MOSFET制造方法具有：制备由碳化硅构成的衬底（10）的步骤；形成与衬底（10）接触的栅极氧化物膜（20）的步骤；以及在包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中引入氮原子。在引入氮原子的步骤中，在通过将包含氮原子但不包含氧原子的氮化处理气体加热至超过1200℃的温度而形成的气氛气体中加热上面已经形成了栅极氧化物膜（20）的衬底（10），从而将氮原子引入到包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中。

公开(公告)号：CN102782820A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180004782.0

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  盐见弘 ,  并川靖生 ,  和田圭司 ,  岛津充 ,  日吉透

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，该方法包括：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100）的步骤，该第一表面（100a）至少部分地注入有杂质；通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体（100）的第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b）的步骤；以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）的步骤。

公开(公告)号：CN104835852B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510063849.8

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。

公开(公告)号：CN102934210A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180004586.3

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  盐见弘 ,  并川靖生 ,  和田圭司 ,  岛津充 ,  日吉透

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 公开了一种制造具有提高的性能的SiC半导体器件的方法。公开的制造SiC半导体器件的方法涉及下述步骤。制备SiC半导体，其具有第一表面，该第一表面的至少一部分被注入有杂质（S1-S3）。通过清洗SiC半导体的第一表面，形成第二表面（S4）。在第二表面上，形成含Si膜（S5）。通过氧化含Si膜，形成构成SiC半导体器件的氧化物膜（S6）。

公开(公告)号：CN104835852A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510063849.8

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流-电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容-电压特性中得到的电容(C)积分来获得。

公开(公告)号：CN104025300B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280065718.8

申请日：2012-12-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 岛津充 ,  日吉透 ,  和田圭司 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(100)，其包括：绝缘膜(126)；碳化硅层(109)，该碳化硅层进一步包括被绝缘膜(126)覆盖的表面。该表面包括第一区域(R1)。第一区域(R1)至少部分地具有第一面取向。该第一面取向是(0-33-8)面、(30-3-8)面、(-330-8)面、(03-3-8)面、(-303-8)面和(3-30-8)面中的任何一个。

公开(公告)号：CN104835856A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064603.2

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。正向导通电阻R表示当在向二极管(1)施加正向电压时产生的指定电流密度(Jf)时的电压与电流的变化率。将反向阻断电压V阻断定义为产生与指定电流密度(Jf)的10-5倍一样高的电流密度Jr时的二极管(1)的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容-电压特性中得到的电容(C)积分来获得。

公开(公告)号：CN104835858A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510065112.X

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V阻断2的关系。将反向阻断电压V阻断定义为产生与正向电流的电流密度(Jf)的10-5倍一样高的电流密度Jr时的二极管(1)的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。

公开(公告)号：CN104835857A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064902.6

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流-电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。

公开(公告)号：CN104321876A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380026644.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  增田健良 ,  田中聪 ,  平塚健二 ,  岛津充 ,  神原健司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 形成由碳化硅制成的、具有第一导电类型的第一层(121)。形成设置在所述第一层(121)上的、具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二层(122)和设置在第二层(122)上的、具有第一导电类型的第三层(123)。形成第二和第三层(122，123)的步骤包括执行杂质离子注入的步骤和执行用于活化通过杂质离子注入而注入的杂质的热处理的步骤。在执行热处理的步骤之后，形成具有穿透第三层(123)和第二层(122)的侧壁并且具有达到第一层(121)的底部的沟槽(TR)。形成栅极绝缘膜(201)以覆盖沟槽(TR)的侧壁。结果，提供具有低导通电阻的碳化硅半导体器件(500)。