-
公开(公告)号：CN119547205A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380054049.2
申请日：2023-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
Abstract: 本发明的复合材料为板状，具有第一表面以及作为第一表面的相对面的第二表面。复合材料具有多个第一层、以及至少一个第二层。第一表面和第二表面形成复合材料的厚度方向上的端面。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式，沿厚度方向交替层叠。第一层是以铜为主成分的金属材料的层。第二层具有钼板和铜填料。在钼板形成有沿厚度方向贯通钼板的多个开口部。铜填料配置在开口部的内部。在与厚度方向正交的剖视观察时，开口部以形成格子排列的方式排列。
-
公开(公告)号：CN116648315A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180087005.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
IPC: B21B3/00
Abstract: 本发明的复合材料为板状，具有第一表面和第二表面。第二表面是第一表面的相反面。复合材料具有多个第一层和至少一个第二层。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式沿复合材料的厚度方向交替层叠。第一层是包含铜的层。第二层是含浸有铜的钼粉末压坯的层。作用于位于第一表面的第一层以及位于第二表面的第一层的压缩残余应力为50MPa以下。
-
公开(公告)号：CN102762779A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080064177.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: H01L23/3735 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C27/00 , C22C27/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12632 , Y10T428/12833 , Y10T428/1284 , Y10T428/1291 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种金属叠层结构（100），其中，包含钨的第一金属层（1）设置在包含铜的第二金属层（2）的第一表面（2a）上，并且包含钨的第三金属层（3）设置在第二金属层（2）的与第一表面（2a）相反的第二表面（2b）上，并且第一金属层（1）包含以在与第二金属层（2）的第一表面（2a）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒，并且第三金属层（3）包含以在与第二金属层（2）的第二表面（2b）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒。进一步公开了一种用于制造该金属叠层结构（100）的方法。
-
公开(公告)号：CN1633709A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02802972.0
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: B22F3/26 , B22F7/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L23/3733 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10T428/12042 , Y10T428/12479 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/1121 , B22F2207/11 , B22F2207/01 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
-
公开(公告)号：CN116157258A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180058880.6
申请日：2021-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
IPC: B32B15/01
Abstract: 复合材料具有多个第一层和多个第二层。第一层和第二层的数量的合计为5以上。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式沿着复合材料的厚度方向交替地层叠。第一层由以铜作为主要成分的金属材料形成。第二层具有钼板和铜填料。钼板包含厚度方向上的端面即第一面和第二面以及从第一面朝向第二面贯通钼板的多个开口部。铜填料配置在开口部的内部。位于第一表面的第一层的厚度为0.025mm以上且为复合材料厚度的30％以下。与位于第一表面的第一层接触的第二层的厚度为0.05mm以上且为复合材料的厚度的35％以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102762779B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080064177.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: H01L23/3735 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C27/00 , C22C27/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12632 , Y10T428/12833 , Y10T428/1284 , Y10T428/1291 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种金属叠层结构（100），其中，包含钨的第一金属层（1）设置在包含铜的第二金属层（2）的第一表面（2a）上，并且包含钨的第三金属层（3）设置在第二金属层（2）的与第一表面（2a）相反的第二表面（2b）上，并且第一金属层（1）包含以在与第二金属层（2）的第一表面（2a）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒，并且第三金属层（3）包含以在与第二金属层（2）的第二表面（2b）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒。进一步公开了一种用于制造该金属叠层结构（100）的方法。
-
公开(公告)号：CN102470639A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029791.0
申请日：2010-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: B32B15/01 , C23C28/021 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D7/06 , C25D7/12 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12826 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属层压构件(100)和一种制造所述金属层压构件(100)的方法。所述金属层压构件(100)包含第一金属层(1)、第二金属层(2)和第三金属层(3)，其中所述第一金属层(1)设置在所述第二金属层(2)的一个表面上，所述第三金属层(3)设置在所述第二金属层(2)的另一个表面上，所述第一金属层(1)包含钨和钼中的至少一种，所述第二金属层(2)包含铜，所述第三金属层(3)包含钨和钼中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN100524709C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710091457.8
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
-
公开(公告)号：CN100353536C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN02802972.0
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: B22F3/26 , B22F7/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L23/3733 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10T428/12042 , Y10T428/12479 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/1121 , B22F2207/11 , B22F2207/01 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
-
公开(公告)号：CN101026137A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710091457.8
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m·K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.039 seconds)
