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公开(公告)号：CN100343986C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03814061.6
申请日：2003-07-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/06 , H01L23/04 , H01L23/3732 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152
Abstract: 一种半导体器件所用部件，具有含有Cu、W和/或Mo为主要成分的合金或复合物材料、Al-SiC为主要成分的合金或复合物材料，以及Si-SiC为主要成分的合金或复合物作为基本部件(1)，还具有形成于基本部件(1)表面上的包含固体碳粒薄膜(2)的涂层，用以利用至少另一个部件，如封装的树脂结合所述基本部件(1)。基本部件(1)最好具有0.1-20μm的表面不平整度Rmax，所述固体碳粒薄膜(2)的厚度最好为0.1-10μm。上述半导体器件所用基本部件，如基板提高了由树脂结合的结合强度，并且在诸如温度循环测试等可靠性测试之后能够保持高的结合强度，即表现出极好的由树脂结合的特性。
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公开(公告)号：CN1663042A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814061.6
申请日：2003-07-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/06 , H01L23/04 , H01L23/3732 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152
Abstract: 一种半导体器件所用部件，具有含有Cu、W和/或Mo为主要成分的合金或复合物材料、Al－SiC为主要成分的合金或复合物材料，以及Si－SiC为主要成分的合金或复合物作为基本部件(1)，还具有形成于基本部件(1)表面上的包含固体碳粒薄膜(2)的涂层，用以利用至少另一个部件，如封装的树脂结合所述基本部件(1)。基本部件(1)最好具有0.1－20μm的表面不平整度Rmax，所述固体碳粒薄膜(2)的厚度最好为0.1－10μm。上述半导体器件所用基本部件，如基板提高了由树脂结合的结合强度，并且在诸如温度循环测试等可靠性测试之后能够保持高的结合强度，即表现出极好的由树脂结合的特性。
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公开(公告)号：CN102762779A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080064177.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: H01L23/3735 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C27/00 , C22C27/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12632 , Y10T428/12833 , Y10T428/1284 , Y10T428/1291 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种金属叠层结构（100），其中，包含钨的第一金属层（1）设置在包含铜的第二金属层（2）的第一表面（2a）上，并且包含钨的第三金属层（3）设置在第二金属层（2）的与第一表面（2a）相反的第二表面（2b）上，并且第一金属层（1）包含以在与第二金属层（2）的第一表面（2a）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒，并且第三金属层（3）包含以在与第二金属层（2）的第二表面（2b）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒。进一步公开了一种用于制造该金属叠层结构（100）的方法。
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公开(公告)号：CN1633709A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02802972.0
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: B22F3/26 , B22F7/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L23/3733 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10T428/12042 , Y10T428/12479 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/1121 , B22F2207/11 , B22F2207/01 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102762779B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080064177.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: H01L23/3735 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C27/00 , C22C27/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12632 , Y10T428/12833 , Y10T428/1284 , Y10T428/1291 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种金属叠层结构（100），其中，包含钨的第一金属层（1）设置在包含铜的第二金属层（2）的第一表面（2a）上，并且包含钨的第三金属层（3）设置在第二金属层（2）的与第一表面（2a）相反的第二表面（2b）上，并且第一金属层（1）包含以在与第二金属层（2）的第一表面（2a）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒，并且第三金属层（3）包含以在与第二金属层（2）的第二表面（2b）垂直的方向上延伸的柱状晶体形式的钨的晶粒。进一步公开了一种用于制造该金属叠层结构（100）的方法。
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公开(公告)号：CN102470639A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029791.0
申请日：2010-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
CPC classification number: B32B15/01 , C23C28/021 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D7/06 , C25D7/12 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12826 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属层压构件(100)和一种制造所述金属层压构件(100)的方法。所述金属层压构件(100)包含第一金属层(1)、第二金属层(2)和第三金属层(3)，其中所述第一金属层(1)设置在所述第二金属层(2)的一个表面上，所述第三金属层(3)设置在所述第二金属层(2)的另一个表面上，所述第一金属层(1)包含钨和钼中的至少一种，所述第二金属层(2)包含铜，所述第三金属层(3)包含钨和钼中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100524709C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710091457.8
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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公开(公告)号：CN100353536C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN02802972.0
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: B22F3/26 , B22F7/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L23/3733 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10T428/12042 , Y10T428/12479 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/1121 , B22F2207/11 , B22F2207/01 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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公开(公告)号：CN101026137A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710091457.8
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m·K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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